タグ検索の該当結果が少ないため、タイトル検索結果を表示しています。
ゲーム 通称「スイッチ2」は超解像技術やレイ再構成でゲームの表現力を底上げ? Nintendo Switch後継モデル、サムスン製の第5世代V-NAND採用でゲーム読み込みを高速化か Image:Sadie Mantell/Shutterstock.com Nintendo Switch後継モデル、通称「スイッチ2」に関する噂話や自称リークは数多く届けられてきたが、「CPUやGPU性能は控えめにして、機械学習により表現を底上げする」方向性以外は、ほぼ謎に包まれている。 そんななか、スイッチ2のゲームカード(ソフトのカートリッジ)や内蔵ストレージには、従来より大幅に高速なサムスン製の第5世代V-NANDが採用される可能性が浮上している。 ゲーム業界の求人情報を調べることで知られるDoctre81は、2019年まで在籍していた元サムスン電子デバイスソリューション事業部シニアディレクターのLin
Samsung Electronics Co., Ltd,(本社:韓国)は2019年8月6日、100層超えの「第6世代V-NAND」を採用するSATA3.0(6Gbps)対応250GB SSDの量産を開始した。 Samsungは、業界初となる100層オーバーの第6世代V-NANDフラッシュを採用したSATA3.0(6Gbps)SSDの量産開始を発表した。 今回発表されたNANDフラッシュは136層構造の256Gbitモデルで、従来の90層クラスの製品と比較して約40%の高密度化を実現。またデータ転送速度を最適化する独自回路設計によって、書込操作は450μs未満、読込操作は45μs未満を達成。従来モデルとの比較では転送速度は10%以上引き上げられている一方で、消費電力は15%以上削減した。 なおこの独自回路設計により、信頼性を損なうことなく3枚のスタックに対応し、300層以上のV-NANDソ
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く