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IBM、記憶容量100倍以上の新型メモリー実用化へ一歩前進
レーストラックメモリー実用化に向けた技術。「ドメイン」と呼ぶナノワイヤー上の磁気パターン領域を高速かつ精密に動かす（出典：米IBM） 米IBMは米国時間2010年12月23日、ナノワイヤー上に微細な磁気パターンを記録する新型メモリー「レーストラックメモリー」ついて、高速かつ精密なパターン制御技術を開発したと発表した。これにより、ポータブルデバイスなどの記憶容量を現在の約100倍以上に向上するメモリーデバイスの実用化が近づいたという。 このメモリーは、デジタルデータをナノサイズのワイヤー上の微細な磁気パターンで表現し、パターンを動かしてデータを読み書きする。このワイヤーを高い密度で集積すると、メモリーLSIとして利用できる。可動部品を使わないため耐衝撃性に優れ、低コストで製造でき、安定性・信頼性も高く、少ない消費電力で高速に作動するという。IBMは「実用化すれば、全世界で制作される1年分の映
テクノロジー : 日経電子版
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