JST(理事長 沖村憲樹)と東北大学(総長 吉本高志)の研究チームは、強磁性半導体(注1)(Ga,Mn)As[ヒ化ガリウムマンガン]に電流を流すことにより、磁壁(注2)が移動する現象「電流誘起磁壁移動」と、磁壁が電流にとって抵抗になる「磁壁抵抗」の双方を観測し、それらのメカニズムを明らかにしました。 本来磁石であるはずの鉄が、磁石でないように振る舞うときがあるのは、内部にたくさんの磁区(磁石の区切り)が存在していて、それらの磁気が打ち消しあっているからです。その磁区の中では、磁気の方向は揃っていますが、磁区と磁区の境界では磁気の方向が徐々に変化した磁壁と呼ばれる領域ができます。本研究は電流がその磁壁にどのような影響を与えるか、また磁壁が電流にどう作用するかを明らかにしたものです。 本研究では、微細加工により磁壁を所定位置に再現性良く配置し、初めて電流誘起磁壁移動の速度を定量的に解析できる系