バリスタ - Wikipedia
バリスタ、バリスター バリスタ (電子部品)（英語: varistor） - 非直線性抵抗素子。電子部品の一種。 バリスタ (兵器)（ラテン語: ballista） - 古代から中世にかけて欧州で用いられた巨大な弩砲の一種。 法廷弁護士（英語: barrister, barrister-at-law）のこと。 バリスタ (コーヒー)（イタリア語: barista） - エスプレッソを出す店（バール）で働く人。 ネスカフェ バリスタ - ネスカフェが開発したインスタントコーヒー専用コーヒーサーバー。 バリスタ (漫画) - 原作：花形怜、作画：むろなが供未による漫画。 バッリスタ（Ballista） - 軍人皇帝時代のローマ帝国の軍人。バリスタ（Balista）とも。 このページは曖昧さ回避のためのページです。一つの語句が複数の意味・職能を有する場合の水先案内のために、異なる用法を一覧にして
Microsoft Word - 第6章MOSFET＿20110116
Internet 版 11/2/8 版 第6章 MOSFET 能動動作をする半導体デバイスとして、東の横綱をバイポーラトランジスタとするなら、 MOSFET はさながら西の横綱といったところであろう。MOSFET は理解する過程でキャ リアの拡散の概念を必要とせず、オームの法則と電磁気学の基礎があれば理解できる。前 章を読み進めた読者にとっては大変簡単に思われるかもしれない。この章でほぼ集積回路 に登場するすべてのデバイスを理解することになるため、一気に読んで自分のものにして いただきたい。これを理解すれば、半導体デバイスのほとんどをカバーできることであろ う。 １． MOSFET の概略 MOSFET は Metal-oxide-semiconductor Field Effect Transistor、金属-酸化物-半導 体接合電界効果トランジスタの略称である。 図 1 に
電子部品/半導体の通販サイト -RSオンライン-
技術情報 Ideas and Advice半導体, 電子部品, 工具, 計測器, 制御機器, 機械部品など 様々な質問にお答えします
ねがてぃぶろぐ FETを用いたUSB機器の電池/Vbus切り替え回路
電子工作ブログ、ちょっと変わった回路、PICやPSoCといったマイコン、LTspiceとScilabによるシミュレーションをメインとしています。
MOSFETのボディダイオード - You/がらくた箱
こんな風に入ってます。 普通に使うときは逆バイアスされているのでないのと一緒。 でもスイッチに使うと、オフの状態なのに、 ダイオードを通って逆流してしまいます。 双方向のスイッチを作りたいときは、 いわゆる「バックツーバック」（背中合わせ）にします。 なぜかフェースツーフェースとは言わない。 電源の逆挿し防止に、電源と直列にダイオードを入れることがあります。 でもシリコンPN接合には約0.6Vの電圧降下があってムダに電力を消費します。 そもそも、入力電圧が要求している電圧ピッタリだとダイオードを直列に入れることすらできません。 そういう時はダイオードを逆バイアスになるように電源と並列に入れて、電源との間にヒューズを入れたりするわけだ。 ところが、MOSFETのボディダイオードを使うと、 VgsがVthに達するまでは普通のダイオードと同じですが、DS間がターンオンするとあら不思議、電圧降下が
PチャンルMOSFETの電流方向 - OKWAVE
参考になれば・・・ http://www37.tok2.com/home/aoijf2/mosfet.html 蛇足ですが、 上段右図は、SW→ON で消灯（FET非導通）、SW→OFF で点灯（FET導通）です。 （その他の図については、SW動作が記載してあるので説明略） また、下段左の回路図は、FETの種類が明記してありませんが、当然PchMosです。 >逆に流したら壊れるのでしょうか。 どういう状況下で流すのか分かりませんが、少なくとも上図のような使い方をするなら、 電流は、内蔵保護ダイオードを素通りするので、電灯は点灯しっぱなし（SWによる コントロールが利かない）、場合によっては内蔵保護ダイオードが壊れる可能性もあります。
第3回 DC-DCコンバータの回路技術
過去の記事を整理・一部リライトして再掲載したものです。 古い技術情報や、 現在、TDKで扱っていない製品情報なども含まれています。 直流電圧を別の直流電圧に変換するのがDC-DCコンバータの役割。変換効率にすぐれるスイッチング方式のDC-DCコンバータは、電子機器の省電力化や小型・軽量化に貢献。高機能化が進む携帯電話などのモバイル機器にも、多数の小型DC-DCコンバータが搭載されて回路を駆動しています。 電子機器の進歩とともに電源はますます多様化 前号で紹介したように、直流電圧の変換には三端子ICなどを用いたリニア方式のものもありますが、DC-DCコンバータといえばスイッチング方式が主流です。リニア方式は電力の一部を熱として捨てて必要な電圧の直流出力を得る方式。かたやスイッチング方式は、入力された直流をスイッチング素子によってパルス電流に細分し、それらをつなぎ合わせて必要な電圧の直流出力を
【インフォシーク】Infoseek ： 楽天が運営するポータルサイト
日頃より楽天のサービスをご利用いただきましてありがとうございます。 サービスをご利用いただいておりますところ大変申し訳ございませんが、現在、緊急メンテナンスを行わせていただいております。 お客様には、緊急のメンテナンスにより、ご迷惑をおかけしており、誠に申し訳ございません。 メンテナンスが終了次第、サービスを復旧いたしますので、 今しばらくお待ちいただけますよう、お願い申し上げます。
ディジタル電子工学講座
このページを見るときは固定等幅フォントを使用してください ファンアウト (FANOUT) ＴＴＬ TTL １ピンに対していくつの TTL が接続出来るでしょうか？ それをファンアウト(Fanout)と言いますが，TTL のデータシートには直接は載っていません． ではどの様に Fanout 計算をするか．．TTL のデータシートを見てみて考えてみましょう． まずデータシートの入力・出力電流の項目を見てみましょう． この中で High レベルと Low レベルそれぞれの出力電流が記載されていると思います． 入力電流 Iih (High Level Input Current) 入力を High レベルにしたときの入力電流 Iil (Low Lebel Input Current) 入力を Low レベルにしたときの流れだし電流 出力電流 Ioh (High Level Output Curre
MOS FET
MOS FETのフルスペルはMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistorです。 MOS FETはモス・エフ・イー・ティーと読みます。MOSとは金属(Metal)、酸化絶縁膜(Oxide)、半導体(Semiconductor)を順番に重ね合わせた構造をしています。 半導体としてはNPN構造のものとPNP構造のものがあり、NPNを使ったものをNチャネル、PNPを使ったものをPチャネルと呼んでいます。NPNまたはPNPの半導体に酸化膜を付け、その上にゲート電極として金属を配置します。NPNの場合、"N"の部分をソース電極およびドレイン電極にします。PNPの場合、"P"の部分が電極です。 FETとは電界効果型トランジスタと呼ばれ、トランジスタが入力電流により出力電流を制御するのに対して、FETは入力の電圧（電界）で出力電流を制御します。入力には
プリント基板設計で最低限おさえておくべきポイントはこれだ！！電源ラインのコンデンサ、必ずつけてね！？デカップリングコンデンサ、バイパスコンデンサ、共振、容量値、電圧降下、リップルについて
プリント基板設計の基本的な考え方！！このサイトは、プリント基板設計の基礎を 勉強するページです。発熱対策、ノイズ対策まで幅広く紹介していきます。 プリント基板設計の重要性と基本的な考え方法 PCB、プリント基板設計は、非常に重要な設計項目です。実装する半導体部品や抵抗、コンデンサなど、各種部品の特性を活かす基板設計が重要です。実際に、プリント基板を設計するためには、さまざまな考えるべきポイントがあり、注意すべきポイントがあります。それらについて簡単にまとめてみたいと思います。 世の中にある電子機器、例えば、携帯電話、パソコン、ハードディスク、テレビ、DVD、コピー機、FAX、プリンタ、カーナビ、オーディオ機器など、セット機器の中には電子回路基板があります。そして、このプリント基板の上で半導体素子、ICやLSIなどの電子部品が働き、それによって、僕らが楽しく便利な機能を実現してくれています。
シュミットトリガ - Wikipedia
シュミットトリガ (Schmitt trigger) は、入力電位の変化に対して出力状態がヒステリシスを持って変化することを特徴とする電子回路である。シュミット回路(Schmitt circuit)ともいう[1][2]。応用はいくつかあるが、典型的なものとしては、ディジタル回路（論理回路）の非反転バッファないし反転バッファ（NOTゲート）であり、汎用ロジックICでよく使われるものとしては7414がある。 入力Uに対する出力の比較。Aは単純なコンパレータ出力、Bはシュミットトリガの出力 ここでは非反転バッファを例として説明する。また、論理値として考えた場合、正論理と負論理の関係で混乱する羽目になるため、論理回路として考えることはおすすめできない。 入力に対するしきい値を2つ持ち、入力の電位が高いしきい値を超えたときにHighを出力し、逆に入力の電位が低いしきい値を下回ったときにLowを出力す
部品の豆知識 - JFET、MOSFET(エンハンスメント、デプレッション）、それぞれの違い
JFET、MOSFET(エンハンスメント、デプレッション）、それぞれの違い トランジスタ回路の設計ならできるけど、FETはちょっと苦手という人はおおいのではないかと思います。その理由の一つにはFETには接合型(J-FET)やMOS型があり、さらにMOS型の中にはエンハンスメントやらデプレッションやらあってややこしいからではないかと思います。またFETはよく「負の電圧をかけなければならない」と紹介されますので、先入観から敬遠してしまいがちです。 そこで、FETはトランジスタと同じように使いやすい部品なんだぞということを紹介するために、このページを書きました。 FETの図記号 J-FET(ジャンクション：接合型)の回路図での記号は下の図のように書きます。
【レポート】メモリ技術解説(3) DDR IからDDR IIへ、DDR-SDRAM | ネット | マイコミジャーナル
○DDR-SDRAM 「SDRAMをもっと高速に」という要求は当然のごとく生まれたが、半導体プロセスは急速には進歩しない。そこで考え出されたのが「DDR-SDRAM(Double Data Rate SDRAM)」である。 現状の半導体プロセスでは、DRAM内部の動作クロックは100MHz程度が限界である。SDRAMはこの内部動作クロックにインタフェースの動作クロックを併せたものであるが、データのやりとりを行なうインタフェース部分は、ラッチとバッファで構成されるだけなので高速動作が可能である。DDR-SDRAMはこの考えをもとに、内部速度はそのままでインタフェースの動作クロックを向上させたものである。 DDR-SDRAMは、すでに販売されている第一世代のDDR Iと2003年より販売が開始される第2世代のDDR IIがある。 ・DDR I DDR-SDRAMの大きな特徴として挙げられるのは
予備知識 | 設計 | FAQ | サポート | ルネサスエレクトロニクス
本ウェブサイトでは、JavaScriptおよびスタイルシートを使用しております。 お客さまがご使用のブラウザではスタイルが未適応のため、本来とは異なった表示になっておりますが、 情報は問題なくご利用いただけます。
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
パワーMOSFETの実践活用法
http://verilogician.net/otherAPL/PS2mouse/PS2mouse.html
【コラム】セカンド・オピニオン (122) バスのアーキテクチャ - 過去から未来へ(83) | パソコン | マイコミジャーナル
サービス終了のお知らせ.html)
aitem-lab.com - アイテム ピッチ 交流 基本 基板 変換 表現 設計 リソースおよび情報