SanDiskが語る、半導体不揮発性メモリの開発史SanDiskが語る、半導体不揮発性メモリの開発史：福田昭のストレージ通信（42） 抵抗変化メモリの開発動向（1）（1/2 ページ） 今回からは、国際学会で語られたSanDiskの抵抗変化メモリ（ReRAM）の研究開発動向について紹介していく。まずは、約60年に及ぶ「不揮発性メモリの歴史」を振り返る。 ストレージ・クラス・メモリを実現する次世代半導体メモリ技術 前回までは、半導体メモリの研究開発に関する国際学会「国際メモリワークショップ（IMW:International Memory Workshop）」のショートコース（2016年5月15日）から、Micron Technologyの講演概要をご報告した。今回以降は、SanDiskによる抵抗変化メモリ（ReRAM）の研究開発動向に関する講演概要をご紹介する。講演者はスタッフエンジニアのYangyin CHEN氏、講演タイトルは「ReRA
