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シリコン半導体に置き換わる新デバイスーー集積度の限界を超える「金属－空気トランジスタ」 - fabcross for エンジニア
オーストラリアのRMIT大学の研究チームは、現在のシリコンベースのトランジスタに替わる新しいデバイスとして、電界放出型「金属－空気トランジスタ」を開発した。集積度の限界に近づきつつあるトランジスタ技術をあと20年は延ばせる可能性があり、研究成果は2018年11月16日付けの『Nano Letters』に掲載されている。半導体の集積度には、2年ごとに倍増するという「ムーアの法則」がある。プロセスの微細化が進むにつれ、現在の技術は物理的な限界に近づいており、その終焉は2025年にやってくるとも言われている。研究チームは、従来のシリコンベースの半導体ではなく、金属ベースの空気チャネルトランジスタ（ACT）を開発した。ソース電極とドレイン電極は平面構造で先端を尖らせ、向かい合うように対称的に配置。両者の間には35nm以下のエアギャップを設けて、空気チャネルとした。このギャップは空気中の電子の平
shinichiroinaba 2019/01/20
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「fabcross」、「fabcross forエンジニア」サイト閉鎖のお知らせ
平素より株式会社メイテックが運営する「fabcross」、「fabcross forエンジニア」（以下、fabcross）をご愛顧いただき、誠にありがとうございます。 fabcrossは2013年より、ものづくりに携わる皆様にとって有益な情報をお届けすることをモットーに運営してまいりましたが、2025年3月31日（月）をもちましてサイトを閉鎖させていただきました。メールマガジンの配信も2025年3月18日（火）をもって終了し、ご登録情報は3月24日（月）に削除させていただきました。読者の皆様のご関心やご意見が、私たちの活動の大きな支えとなっておりました。長らくのご愛顧、誠にありがとうございました。「fabcross」、「fabcross forエンジニア」に関するお問い合わせご不明な点がございましたら、下記のメールアドレスにお問い合わせいただけますようお願いします。株式会社メイテ
shinichiroinaba 2018/08/20
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shinichiroinaba 2018/07/20
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shinichiroinaba 2018/06/03
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