"Wafer-Scale Growth of Single-Crystal Monolayer Graphene on Reusable Hydrogen-Terminated Germanium" J.-H. Lee et al., Science, in press (2014). 現在の計算機を支えているのは間違いなくSiベースの技術である.それらSiを元に作られる電子素子が高い性能を発揮できる理由のひとつとして,非常に純度が高くしかも原子レベルで平坦な単結晶ウェハーを作成できる点が挙げられる.この均一なウェハーを出発物質とすることで,均質で特性の揃った素子の生産が可能となっている.ところが近年になり,そんなSiベースの半導体素子にもいよいよ物理的な限界が近づいてきたため,よりすぐれた素材の探求が各地で進められている. そんな注目されている素材の一つが単層グラファイトであるグラフェン