東京大学 大学院工学系研究科の竹内健准教授、慶應義塾大学 理工学部の黒田忠広教授と石黒仁揮准教授らによる研究グループは2月21日、非接触型のSSDメモリの研究開発において、エラーを削減し、電力を半減以下にするデータ変調技術と、伝送線路結合を用いた高速非接触インタフェースを開発したことを明らかにした。同研究成果は、2011年2月20日から24日(米国西部時間)に米国・サンフランシスコで開催されている「国際固体素子回路会議(ISSCC 2011)」で発表される。 NAND型フラッシュメモリを記憶媒体としたSSDは携帯機器やPCで使われているが、研究グループではこれまで、高速なデータ通信を行い、防水機能を備え、接触不良や、動作中の誤った抜き差しなど利用者の誤使用、人体との接触による静電気破壊、使用に伴う劣化に対して高信頼性と安全性を提供できる非接触SSDの提案を行ってきた。 しかし、SSDは使用