産総研：強誘電体NANDフラッシュメモリーで書き換え回数従来比１万倍を実証従来のNANDフラッシュメモリーのメモリーセルの書き換え回数が1万回、書き込み電圧が約20Vであるのに対して、今回作製したメモリーセルは書き換え回数1億回以上、書き込み電圧６V以下。 このメモリーセルは、従来のフラッシュメモリーでは難しかった20nm、10nm技術世代の高密度大容量不揮発メモリーの実現を可能にする。 従来のハードディスクの代替としての適用にも期待。 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）エレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】フロンティアデバイスグループ 酒井 滋樹 研究グループ長らは、国立大学法人 東京大学（以下「東京大学」という）大学院 工学系研究科 竹内 健 准教授と共同で、強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)をメモリーセルとして用いるとNANDフラッシュメモリーの性能が著しく向上することを実証した。セルレ
