従来のNANDフラッシュメモリーのメモリーセルの書き換え回数が1万回、書き込み電圧が約20Vであるのに対して、今回作製したメモリーセルは書き換え回数1億回以上、書き込み電圧6V以下。 このメモリーセルは、従来のフラッシュメモリーでは難しかった20nm、10nm技術世代の高密度大容量不揮発メモリーの実現を可能にする。 従来のハードディスクの代替としての適用にも期待。 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】(以下「産総研」という)エレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】フロンティアデバイスグループ 酒井 滋樹 研究グループ長らは、国立大学法人 東京大学(以下「東京大学」という)大学院 工学系研究科 竹内 健 准教授と共同で、強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)をメモリーセルとして用いるとNANDフラッシュメモリーの性能が著しく向上することを実証した。セルレ
●NORからNANDにシフトするフラッシュメモリ 今回のWinHECで目立つのは、デバイスとしてのNANDフラッシュメモリの躍進だ。 WinHECのスポンサーだけをとっても、NANDフラッシュがらみの企業として、Intel、Micron(以上Platinumスポンサー)、Samsung(Silver)、SanDisk(Bronze)と並ぶ。Intelを「NANDがらみ」とくくってしまうのはいささか乱暴かもしれないが、Micronと提携してNANDフラッシュメモリ事業に進出していること、先日発表されたSanta Rosaプラットフォームに対するNANDフラッシュの採用(Intel Turbo Memory)など、NANDフラッシュメモリ関連の話題を提供していることは間違いない。 IntelやAMD(WinHECではGoldスポンサー)といったプロセッサベンダが従来力を入れていたのは、NOR型
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