Intelは7月26日(米国西海岸時間)、IDM 2.0戦略に沿ったプロセスおよびパッケージングの新たなテクノロジーロードマップを発表。新しいトランジスタアーキテクチャ「RibbonFET(Gate-All-Around構造のIntel独自の呼び名)」や新たな裏面電力供給方法「PowerVia」の存在を明らかにしたほか、EUVを「Intel 4」(これまで7nmプロセス世代としていた)で導入し、将来的には、高NA EUV露光装置を採用し、製造技術での技術的なリーダーシップを奪還することを強調した。 新しいプロセスとパッケージングロードマップを発表するGelsinger CEO (出所:Intel Webcast) プロセスノードの呼称をx-nmから「Intel x」に変更 Intelは、今回、従来のナノメートルベースのプロセスノードの命名ルールが1997年に実際のゲート長と一致しなくなって
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