舛岡富士夫教授「日本発の三次元半導体で歴史を創る」｜【Tech総研】
三次元半導体「SGT」をご存知じだろうか。これまで平面だったチップを円柱形にして、占有面積を数分の1にするという画期的な次世代半導体だ。実現すれば低消費電力で低コスト、何より10倍以上の高速・高集積化が可能となる。目標値は50GHzのクロック周波数。「ムーアの法則」を覆し、産業と社会を大きく変えることは間違いない。 この研究に取り組むのが、SGTの提案者でもあるフラッシュメモリの開発者・舛岡富士雄氏だ。その舛岡氏が外資系企業と提携して、SGTのためのベンチャー企業を立ち上げるという。日本発の世界標準MPUが生まれるかもしれない。 私が1989年に世界学会で発表したもので、SGTという名前も私が付けました。大きな特徴は、現在平面であるMOSトランジスタを、立体的な円柱形にする点です。シリコン、ソース、ゲート電極などの要素は従来のものと変わりませんが、このような形にすることで占有面積が数分の一
フラッシュメモリは何日で壊れる？ ウェアレベリングの仕組み - nabeの雑記帳
一昔前はLinuxマシンにCFディスクをCF→ATAPI変換して使うということもありました。SSDをはじめ半導体不揮発メモリが盛り上がりつつある時代、寿命について考えてみたいと思います。 なお、SSDのいわゆるプチフリーズと呼ばれる現象の正体は、このウェアレベリングに他なりません。*1 半導体メモリの寿命 SanDisk製コンパクトフラッシュの故障防止機構 ウェアレベリングの実際 3%の余剰セクタで何日使える？ CFのエラーマネジメント機構 まとめ 資料：SanDiskのCF仕様書、SanDiskウェアレベリング（ホワイトペーパー） SanDiskのCFについて考察しますが、他社製の半導体メモリでも同様の機構があります。 半導体メモリの寿命 ほぼすべての半導体メモリには構造上の寿命があります。これは書き込み回数の制限で、一般的に10万回（多くて30万回）と言われています。しかしこれはSLC
次世代不揮発性メモリー（上）
不揮発性メモリーはメモリーカードやICレコーダーなど小型の記録媒体に多く使われている。電源を切っても保存したデータが消えないというのが特徴だ。不揮発性メモリーとして最も広く使われているのがフラッシュ・メモリーである。だが，フラッシュ・メモリーは書き込み動作が遅く，書き換え回数に制限があるという欠点を持つ。この欠点を解消するために，データを記憶する素子を工夫した三つの不揮発性メモリーが開発されている。記録素子に強誘電体を使うFeRAM（Ferroelectoric RAM），磁性体素子を使うMRAM（Magnetic RAM），相変化材料を使うOUM（Ovonic Unified Memory）である。 図1●次世代の不揮発性メモリー 現行の不揮発性メモリーの主流であるフラッシュ・メモリーの欠点を補う次世代の不揮発性メモリーは，大きく三つのものが研究開発されている。2003年5月現在，FeR
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