エントリーの編集
![loading...](https://b.st-hatena.com/bdefb8944296a0957e54cebcfefc25c4dcff9f5f/images/v4/public/common/loading@2x.gif)
エントリーの編集は全ユーザーに共通の機能です。
必ずガイドラインを一読の上ご利用ください。
記事へのコメント5件
- 注目コメント
- 新着コメント
![mrkn mrkn](https://cdn.profile-image.st-hatena.com/users/mrkn/profile.png)
注目コメント算出アルゴリズムの一部にLINEヤフー株式会社の「建設的コメント順位付けモデルAPI」を使用しています
![アプリのスクリーンショット](https://b.st-hatena.com/bdefb8944296a0957e54cebcfefc25c4dcff9f5f/images/v4/public/entry/app-screenshot.png)
- バナー広告なし
- ミュート機能あり
- ダークモード搭載
関連記事
舛岡富士夫教授「日本発の三次元半導体で歴史を創る」|【Tech総研】
三次元半導体「SGT」をご存知じだろうか。これまで平面だったチップを円柱形にして、占有面積を数分の1... 三次元半導体「SGT」をご存知じだろうか。これまで平面だったチップを円柱形にして、占有面積を数分の1にするという画期的な次世代半導体だ。実現すれば低消費電力で低コスト、何より10倍以上の高速・高集積化が可能となる。目標値は50GHzのクロック周波数。「ムーアの法則」を覆し、産業と社会を大きく変えることは間違いない。 この研究に取り組むのが、SGTの提案者でもあるフラッシュメモリの開発者・舛岡富士雄氏だ。その舛岡氏が外資系企業と提携して、SGTのためのベンチャー企業を立ち上げるという。日本発の世界標準MPUが生まれるかもしれない。 私が1989年に世界学会で発表したもので、SGTという名前も私が付けました。大きな特徴は、現在平面であるMOSトランジスタを、立体的な円柱形にする点です。シリコン、ソース、ゲート電極などの要素は従来のものと変わりませんが、このような形にすることで占有面積が数分の一
2014/03/16 リンク