超高速動作不揮発性磁気メモリ(MRAM)セル基本技術を開発(2006年 7月14日): プレスリリース | NECシステムLSIへの組み込みに適した 超高速動作不揮発性磁気メモリ(MRAM)セル基本技術を開発 ～SRAMと同等の動作速度を実現可能に～ 2006年 7月14日 日本電気株式会社 NECはこのたび、次世代LSIへの組み込みに適した超高速動作不揮発性磁気メモリ(以下、MRAM:Magnetoresistive Random Access Memory)の実現に不可欠なメモリセルの基本技術を開発しました。 今回開発したMRAMメモリセル技術は、書き込み回路および読み出し回路の新規開発による書き込み・読み出し速度の高速化、低書き込み電流メモリセル構造の開発によるセル面積の小型化、などにより実現しました。 このたびの開発により、現在のシステムLSIに組み込まれているSRAM(Static RAM)と同等の動作速度を有し、SRAMにはない不揮発性という付加価値を持った、システムLSI組み込みに適した
