ASIC - Wikipedia
ゲートアレイ (英: gate array) 基本となる論理回路（ゲート回路）を一面に敷き詰めた「下地」を予め製造しておき、個別品種向けの配線層のみ注文に応じて作りこんで製品とする。配線層の製造工程だけで済むため製造期間が短く、下地は大量に製造するためコスト的に有利。反面、標準ゲートの組み合わせで回路を構成するため集積度・性能は劣る。 セルベース (英: cell base) 設計済みの機能ブロックを配置し、それ以外の個別ロジック回路とこれらの間の配線層を作りこんで製品とする。集積度・性能ともゲートアレイより有利だが、下地から作る分製造期間・コストは不利。 エンベデッドアレイ (英: embedded array) ゲートアレイの下地の一部の代わりに、設計済みの機能ブロックを埋め込み、残りのロジックはゲートアレイ部分を利用して配線するもの。ゲートアレイとセルベースの折衷型である。 スタンダ
1000mV/gの加速度センサー，MEMS構造の工夫で面積小さく
三菱電機は，1000mV/g（1gは9.8m/s2）と業界最高水準の検出感度を実現しながら，実装面積を業界最小にした加速度センサー・モジュールを開発した。センサー部の構造に工夫を加えることで，センサー部のチップ面積を小さくして，実装面積を従来比半分に縮小した。アンプなどの周辺回路も同一パッケージに収めている。まずは，1軸品と2軸品を6月にサンプル出荷し，自動車用ナビゲーション・システムやプロジェクターに向けて量産する。
周辺回路LSIを含めた内部ブロック図
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VTIテクノロジー、CHIP-on-MEMSテクノロジーによるパッケージレスセンサーを実現
VTIテクノロジー社は、MEMSとASICテクノロジーを組み合わせることにより、大量生産に適し、これまでより小型でスマート、かつ大幅にコストを削減したセンサーを生産する製造コンセプトを開発しました。MEMSセンサーのトップメーカーであるVTI社が行ったこの研究の成果により、幅広い携帯機器に対して、さまざまな形で新たにセンサーを活用することができるでしょう。 VTIテクノロジー社は、MEMSとASICテクノロジーを組み合わせることにより、大量生産に適し、これまでより小型でスマート、かつ大幅にコストを削減したセンサーを生産する製造コンセプトを開発しました。MEMSセンサーのトップメーカーであるVTI社が行ったこの研究の成果により、幅広い携帯機器に対して、さまざまな形で新たにセンサーを活用することができるでしょう。 センサーテクノロジーにおいて克服しなければならない問題の一つは、MEMSのさまざ
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http://jp.yamatake.com/corp/rd/tech/review/pdf/2001_m_09/2001_m_09.pdf
http://www.necel.com/analogasic/ja/application/gyro.html
http://www.cornes-dodwell.co.jp/product/p_c/mixedsignalasic.html
http://www.mew.co.jp/tecrepo/83j/pdfs/83_03.pdf
http://www.eetimes.jp/contents/200711/27665_1_20071102194045.cfm
http://www.mew.co.jp/ac/tech/pimites/explan_tech/index.jsp
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特集/産業に役立つ工学