次世代の電気動力車向けにロームと本田技術研究所は共同で 新材料SiC半導体デバイスを搭載したハイパワーモジュールの開発に世界で初めて成功! ローム株式会社は、このほど株式会社本田技術研究所(本社:埼玉県)と共同で、SiC-SBD、SiC-MOSFETを搭載した1200V・230A(280kVA相当)クラスの次世代の電気動力車向けハイパワーインバータモジュールを開発いたしました。今回のモジュールは、ロームのSiCデバイス技術と本田技術研究所のハイパワーモジュール技術を融合させることにより実現しました。フルSiCデバイスによるハイパワーインバータモジュールとしては世界初のものです。開発したハイパワーインバータモジュールの機能には、コンバータ回路(1相)とインバータ回路(3相)をワンパッケージに搭載しており、小型化を実現しました。 近年、急速に普及しているハイブリッド車(HEV)や電気自動車(