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米地裁、ハイニックス半導体に賠償金支払い原資確保を命令
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【決算】メモリ価格の下落とまらずHynixは赤字拡大，NANDフラッシュは出荷量も減少
韓国Hynix Semiconductor Inc.の2008年7月～9月期決算は粗利益や営業利益など全ての利益指標で赤字を計上した。売上高は前年同期比25％減の1兆8390億ウォン，営業損失は4650億ウォン，純損失は1兆6700億ウォンである。4四半期続けて赤字決算となり，前期に比べて赤字幅が拡大した。 同社の売り上げは77％がDRAMで，残る23％がNANDフラッシュ・メモリなどである。DRAMは出荷数量（ビット換算）が前期比20％増となったものの，平均販売単価は前期から11％低下した。NANDフラッシュ・メモリは出荷数量が前期比14％減となり，平均販売単価も前期から23％下落している。 営業損失に比べて純損失が著しく大きいのは，為替差損や在庫評価損，200mmウエハー対応工場である「M7」と「M9」の閉鎖に伴う固定資産の評価損などを計上したためという（Tech-On!関連記事）。
韓国Hynix社が200mmウエハー工場閉鎖を前倒し，韓国の「M7」DRAM工場を閉鎖
韓国Hynix Semiconductor Inc.は，300mmウエハー工場より生産効率の低い200mmウエハー工場の閉鎖計画を前倒しで進めると発表した（発表資料）。これによって同社は，DRAMとNANDフラッシュ・メモリの生産の大部分を300mmウエハー工場へ移行し，財務状況の安定化や収益性の向上を図る。 Hynix Semiconductor社は現在，200mmウエハー工場を5つ所有している。韓国のIcheonにある「M7」，韓国のCheongjuにある「M8」と「M9」，米国オレゴン州のEugeneにある「E1」，中国のWuxiにある「HC1」である。Hynix Semiconductor社は，既に「HC1」と「E1」，「M9」の操業を停止することを発表しているが（Tech-On!の関連記事），今回，DRAMのみを生産していたM7の閉鎖を発表した。同工場は，2008年9月末までに閉
Hynix製DRAMの関税，9月から大幅に引き下げ
日本政府は，韓国Hynix Smiconductor, Inc.製のDRAMに課している関税を27.2％から9.1％に引き下げる。日本は，Hynix社が韓国政府から2度にわたって補助を受け，日本国内へDRAMを低価格で輸出しているとして，2006年1月より同社製DRAMに27.2％の相殺関税を賦課してきた。この関税措置に関して2007年12月，WTO（World Trade Organization：世界貿易機関）から日本に是正勧告があり，日本は2008年1月から是正に向けた調査を進めていた（Tech-On!関連記事）。 1回目の補助に対しては措置が間に合わず 日本は2001年10月と2002年12月の2度，韓国政府からHynix社への補助行為があったとしてきた。このうち2001年分について，WTOは2001～2005年を補助金配分期間，すなわち相殺関税措置を発動できる期間と定め，日本政府
Hynix，高密度NANDフラッシュ製造の300mmウエハー対応工場が竣工
韓国Hynix Semiconductor Inc.は，韓国・清州市（Cheongju）に300mmウエハー対応の新製造棟「M11」が完成したのを記念し，現地時間2008年8月28日，政府関係者などを招いて式典を開催した（Tech-On!関連記事1）。 M11は40nm世代のプロセスを採用し，16Gビット品や32Gビット品など，高密度のNANDフラッシュ・メモリの製造に特化する。操業開始は2008年9月の予定。生産規模は当初4万枚/月（ウエハー投入量換算）とし，その後は市場の動向をみながら生産量を増やしていく。最大20万枚/月まで拡大可能という。 M11は清州工場の第3製造棟で，Hynix社は既存工場の設備や人員を活用できる利点があるとする。同社は全世界的に200mmウエハー対応工場の整理を進めており，清州工場の200mmウエハー対応棟に関しても2008年7月，再編の対象に挙げていた（Te
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SK hynix Inc. (000660.KS) Stock Price, News, Quote & History - Yahoo Finance