次世代不揮発性メモリー、IntelとMicronが来年量産
米Intel社と米Micron Technology社は2015年7月28日、「1989年のNANDフラッシュメモリーの登場以来、メモリー技術における25年以上ぶりのブレークスルー」（Intel社）とする「3D XPoint technology」を発表した。NANDフラッシュメモリーで一般的な128Gビットの容量を備えたチップも開発したとする。 想定する用途は、大量のデータを高速に処理する必要がある分野への適用だ。例えば、8Kの超高精細映像を用いたゲームや、顔認識や音声認識などのパターンマッチング、そして遺伝子解析といった用途である。 両社は2015年末に特定の顧客向けにサンプル出荷を始め、2016年に一般に向けて発売するとしている。
【５分でわかる最新キーワード解説】SSDの限界を超える「ReRAM搭載SSD」 | マイナビニュース
日々進歩するIT技術は、ともすると取り残されてしまいそうな勢いで進化の速度を高めています。そこでキーマンズネット編集部がお届けするのが「5分でわかる最新キーワード解説」。このコーナーを読めば、最新IT事情がスラスラ読み解けるようになることうけあい。忙しいアナタもサラっと読めてタメになる、そんなコーナーを目指します。今回のテーマは、SSDよりも高速、DRAMよりも大容量のReRAMのエラー発生率を80％削減すると同時に33倍の高速化を達成する制御技術が登場した「ReRAM搭載SSD」。ReRAMの本格実用化までには課題が多いようですが、この制御技術が発展すれば、チップ自身の成熟を待たずにReRAM＋SSDのハイブリッドメモリ実用化が進みそうです！ 「ReRAM搭載SSD」ってどんなもの？ （1）SSD（NANDフラッシュメモリ）より1万倍速い書き込み速度 （2）不揮発性（電源を断ってもデー
SSDの速度を11倍向上、書き換え回数を6.9倍向上、電力を93%削減。ReRAMとフラッシュメモリのハイブリッドSSDシステムを開発。6月にハワイで開催されるVLSI Circuit 2012で発表します。 - 竹内研究室の日記
6月にハワイで開催される、半導体ではISSCCに次ぐトップ学会、Symposium on VLSI Circuitsに論文が採択されました。 ReRAMといった新メモリとフラッシュメモリを組み合わせたハイブリッドSSDのコントローラー技術です。 SSDのコントローラー技術、メモリを制御するシステムを開発し、速度を11倍向上、書き換え回数を6.9倍向上、電力を93%削減。 卒論で優秀論文賞を受賞した藤井君が発表します。 学部生だって、できるやつは、できるのです。 Session 16 – Flash Memory Friday, June 15, 8:05 a.m. 16.3 - 8:55 a.m. "x11 Performance Increase, x6.9 Endurance Enhancement, 93% Energy Reduction of 3D TSV-Integrated
1
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
処理を実行中です
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
【福田昭のセミコン業界最前線】 Intel-Micron連合が発表した“革新的な”不揮発性メモリ技術 - PC Watch
【イベントレポート】 ソニーとMicronが16Gbitの大容量抵抗変化メモリを共同開発 ～IEDM 2014レポート
【福田昭のセミコン業界最前線】 ついに限界に達するNANDフラッシュの微細化と大容量化
