三菱電機は2023年3月2日、次世代データセンター向け800Gビット/秒、1.6Tビット/秒光トランシーバーに搭載する「200Gbps(112Gbaud PAM4) EMLチップ」を開発したと発表した。 三菱電機は2023年3月2日、次世代データセンター向け800Gビット/秒(bps)、1.6Tbpsの光トランシーバーに搭載する「200Gbps(112Gbaud PAM4) EML(Electro-absorption Modulator integrated Laser diode)チップ」(以下、200Gbps EMLチップ)を開発したと発表した。同製品は、2024年の発売/量産化を目指していて、波長数を8波長にするなど、通信方式の多様化にも対応を進めている。 近年、データセンター内でデータ通信を切り替えるスイッチを構成する光トランシーバーは、動画配信サービスの普及や情報のクラウド化に
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