インタラクティブなパラメトリック・セレクション・ツールを使って、あなたの電力変換システムに最適なeGaN®ソリューションを特定します。 GaNのインタラクティブ・ウォールを見る 型番 狀況 構成 VDS 最大 VGS 最大 最大 RDS(on) (mΩ) @5VGS QG標準値 (nC) QGS標準値 (nC) QGD標準値 (nC) QOSS標準値 (nC) ID (A) パルス ID (A) パッケージ (mm) デモ・ボード eGaNFET の購入
窒化ガリウム（GaN）のFETとICのプロダクト・セレクタ・ガイド
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窒化ガリウム（GaN）FETのドライバとコントローラ | EPC
窒化ガリウムFETベースの電力変換システムは、シリコン・ベースの代替システムよりも高効率で、電力密度が高く、システム全体のコストを削減できます。これらの優れた特性によって、eGaN FETの性能をさらに強化するゲート・ドライバ、コントローラ、受動部品などのパワー・エレクトロニクス部品のエコシステムが増え続けています。 台湾uPI Semiconductor、米テキサス・インスツルメンツ、米マイクロチップ･テクノロジーなどの半導体サプライヤは、GaNベースの設計に対して拡大し続ける需要を満たすために、ドライバやコントローラを製品化し続けています。 以下は、eGaN FETと互換性のある既存のICのリストです。 GaNの利用法04a：設計の基本：ゲート駆動。 このビデオでは、高性能電力変換回路でGaNトランジスタを使うための基本的な手法について説明します。
エンハンスメント・モードGaNオン・シリコンの パワーFET（eGaN® FET）を使う
Johan Strydom, David Reusch, Steve Colino, Alana Nakata Efficient Power Conversion Corporation（EPC）の超高速エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）パワー・トランジスタは、シリコン・ベースのパワーMOSFETの領域をはるかに超えた特性の向上を実現します。パワー・コンバータの標準的な回路構成では、特性向上の大きな恩恵と、現在のMOSFETの設計では得られない特性の飛躍が期待できます。すなわち、コンバータ設計の簡単さを維持した上で、コンバータの効率を向上できます。 eGaN FETの使い方は、現在のパワーMOSFETと非常に類似しています。ただし、特性が非常に優れているので、特定のデバイスを効率的かつ信頼性高く利用するために、設計とテストの更なる考察が必要です。 パワー・マネージメント（電源
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