Johan Strydom, David Reusch, Steve Colino, Alana Nakata Efficient Power Conversion Corporation(EPC)の超高速エンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)パワー・トランジスタは、シリコン・ベースのパワーMOSFETの領域をはるかに超えた特性の向上を実現します。パワー・コンバータの標準的な回路構成では、特性向上の大きな恩恵と、現在のMOSFETの設計では得られない特性の飛躍が期待できます。すなわち、コンバータ設計の簡単さを維持した上で、コンバータの効率を向上できます。 eGaN FETの使い方は、現在のパワーMOSFETと非常に類似しています。ただし、特性が非常に優れているので、特定のデバイスを効率的かつ信頼性高く利用するために、設計とテストの更なる考察が必要です。 パワー・マネージメント(電源