産業技術総合研究所(産総研)は7月21日、原子層レベルで制御されたタンタルを用いることで、「電圧駆動磁気抵抗メモリ」の磁気安定性を飛躍的に改善する技術を開発したと発表した。 同成果は、産総研 新原理コンピューティング研究センター 不揮発メモリチームの山本竜也研究員、同・野﨑隆行研究チーム長らの研究チームによるもの。詳細は、無機材料を扱う学術誌「Acta Materialia」にオンライン掲載される。 次世代不揮発メモリとして期待されるMRAMは、膜厚が数nmの磁石/絶縁層/磁石からなる構造の「磁気トンネル接合(MTJ)素子」からなる記憶素子への情報書き込みに電圧駆動MRAMを使用すれば、現在主流のSTT-MRAMと比べてさらに数桁駆動電力を下げることが可能となると考えられており、その実用化に向けて、磁気安定性および制御効率のさらなる改善が進められている。 産総研でも長年にわたって研究開発が
SK hynixは2020年2月1日(韓国時間)、韓国・京畿道の利川(イチョン)市に建設した新たな工場「M16」の落成式を行った。この新施設はメモリデバイスの生産に使われる予定で、まずは1α(アルファ)nm世代(10nmプロセス)を適用するDRAMの生産から開始する。量産開始は2021年後半を見込んでいる。 SK hynixは2020年2月1日(韓国時間)、韓国・京畿道の利川(イチョン)市に建設した新たな工場「M16」の落成式を行った。この新施設はメモリデバイスの生産に使われる予定で、まずは1α(アルファ)nm世代(10nmプロセス)を適用するDRAMの生産から開始する。量産開始は2021年後半を見込んでいる。 同社によると、M16はEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を導入した同社初の工場になるという。それにより、同社は10nm以降のノードに向けて前進する可能性を手にする。M16の床面積
すでにPC向けDDR4メモリチップの大量生産が開始されており、今後モバイル端末から自動運転分野に至るまで、幅広いプラットフォーム向けに1αnm世代のDRAM製品を出荷する。製品は8Gbから16Gbまでをラインナップする。 ちなみに特に注目されているのは、高密度化の恩恵が大きいモバイル端末向けで、1αnm世代への移行により電力効率が改善。現在はスマートフォンなどモバイル端末メーカーに対し、LPDDR4製品のサンプル出荷が開始されている。5Gスマートフォン向けのLPDDR5メモリの場合は、従来から15%の省電力化が可能という。 文: エルミタージュ秋葉原編集部 絵踏 一 Micron Technology: https://www.micron.com/
半導体市場調査会社である台TrendForceは7月16日付けで、6月中旬に発生した東芝メモリ四日市工場の停電に伴う生産停止と、7月頭に日本政府が半導体やディスプレイパネルやスマートフォン製造に使用される3つの主要材料の韓国向け輸出規制の影響から、メモリ業界の下流にあるモジュールメーカーは今までよりも高額の見積もりを大口顧客に出していると報じた。 それによるとDRAMおよびNANDの在庫は依然として高いため、日本政府の今回の措置は完全な材料の輸出禁止ではなく輸出手続きに要する期間の変更である限りは、需要と供給の短期的かつ構造的な逆転の可能性は低いとTrendForceは見ている。 今回の日本の韓国に対する輸出規制については、半導体業界に価格下落が続いてきたメモリ価格を反転させるのではないかという期待感を持たせるとの見方が一部で報道されたが、DRAMeXchangeの分析によると、DRAMの
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
処理を実行中です
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く