磁束が超伝導材料の細線を量子的にトンネルする現象を確認(2012年4月19日): プレスリリース | NEC理化学研究所（野依良治理事長）と日本電気株式会社(NEC 代表取締役 執行役員社長 遠藤信博)は、コヒーレント量子位相スリップ（CQPS）効果(注1)により磁束が完全反磁性に反して量子(注2)的に超伝導材料をトンネル（透過）する現象を実験で証明しました。長年にわたり予言されていた超伝導現象の重要な理論を初めて実証すると同時に、量子電気標準系(注3)で欠けていた「量子電流標準」(注3)の実現などの応用に道を開くことになります。 これは理研基幹研究所（玉尾皓平所長）物質機能創成研究領域 単量子操作研究グループ 巨視的量子コヒーレンス研究チームのツァイ ヅァオシェン（蔡 兆申）チームリーダー（NEC中央研究所 スマートエネルギー研究所 主席研究員兼務）らによる研究チームの成果です。 今回、研究チームは、酸化インジウム（InOx）(注4)の薄膜を用いて微細な超伝導細線と超伝導ループを組み合わせた新
