竹内健氏が語るエルピーダ倒産の原因略語・用語解説（私の独断と偏見で気になったものを順次に。DRAMとかは、別にいいよね） ADコンバータ:アナログ→デジタル変換器 CREST:Core Research for Evolutional Science and Technology 戦略的創造研究推進事業 ECC：Error Checking and Cirrection 誤り訂正符号 ISSCC：International Solid-State Circuits Conference 国際固体素子回路会議 続きを読む
先日倒産したメモリメーカーの友人と飲んできた話
彼は純粋な技術屋といった感じで、 愚痴もまじっていたせいだろうか、何を言ってるかわからない部分もあったが、 いろいろと興味深い話を聞くことができた。 「結局、装置があれば韓国でも中国でもどこでも作れるようになって、値段のたたきあいになっちゃたんだろ」 という私に対して、彼は言った。 「体力勝負で負けたのは否定しない。だけどな、装置があれば誰でも作れるというのは大間違い」 「最大の要因は、やつらの技術力が高かったことだと思う。というかうちの規模の会社が研究開発で対抗できてたのがある意味奇跡。」 メモリは『装置があれば作れる汎用品』なわけではない。ということを彼は熱弁していた。 回路ひとつをとってみても、『アナログ』技術の塊で、 記憶素子のわずかな物理量(数10フェムトとか言ってた)の変化を 増幅する高精度なアンプだとか、 秒速数ギガビットの信号を処理するためにピコ秒単位で 信号のタイミングを
N極かS極のどちらかだけの磁石「モノポール」を地球上で作れる──首都大学東京の研究者ら示す
N極かS極のどちらかだけを持つ理論上の磁石「磁気モノポール」を、普通の磁石と白金を組み合わせた簡単な構造で作れることを理論的に示したという論文が、日本物理学会の英文誌に掲載される。モノポールはいまだに発見されていない理論上の存在だが、もし作ることができればレアアース不要で高密度デバイスを作成したり、新たなメモリなどにつながる可能性もあるとしている。 論文を発表するのは、首都大学東京 大学院理工学研究科の多々良源准教授と、日本学術振興会の竹内祥人研究員。日本物理学会が発行する英文誌「Journal of the Physical Society of Japan」の3月号に注目論文として掲載される。 磁石には必ずN極とS極の両方があり、棒磁石を真ん中で切断してもN極だけ・S極だけになったりはせず、それぞれN極とS極を持つ磁石になる。ところがモノポールはどちらかの極だけを持つ素粒子であり、19
100万分の1の消費電力で、演算も記憶も行う新しいトランジスタを開発 | NIMS
独立行政法人物質・材料研究機構 独立行政法人 科学技術振興機構 国立大学法人 大阪大学 国立大学法人 東京大学 NIMS国際ナノアーキテクトニクス拠点は、大阪大学、ならびに東京大学の研究グループと共同で、従来の100万分の1の消費電力で、演算も記憶も行うことが可能な新しいトランジスタ「アトムトランジスタ」の開発に成功した。 独立行政法人物質・材料研究機構 (理事長 : 潮田 資勝) 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 (拠点長 : 青野 正和) の 長谷川 剛 主任研究者らのグループは、大阪大学大学院理学研究科の小川 琢治教授、ならびに東京大学大学院工学系研究科の山口 周教授らの研究グループと共同で、従来の100万分の1の消費電力で、演算も記憶も行うことが可能な新しいトランジスタ「アトムトランジスタ」の開発に成功した。状態を保持できる (記憶する) 演算素子は、起動時間ゼロのPC (パーソ
グーグルの研究が示すメモリエラーの真実--明らかになった高い発生率
どうしてまたコンピュータがクラッシュしたのかと不思議に思ってはいないだろうか。Googleの実環境での研究によれば、それはメモリが原因かもしれないという。この研究では、メモリのエラー率が、これまでの研究で示されていたよりも高いことが分かった。 Googleは、同社のデータセンターにある膨大な数のコンピュータを使って、それらのマシンの実際の稼働状況についての実環境データを大量に収集することができる。それがまさに、エラー率が驚くほど高いことを明らかにした研究論文のために、同社が行ったことだ。 トロント大学教授Bianca Schroeder氏と、GoogleのEduardo Pinheiro氏ならびにWolf-Dietrich Weber氏の共著である同研究論文によれば、「メモリエラーの発生回数や、さまざまなDIMMにおけるエラー率の範囲が、以前報告されていたよりもずっと高いことが分かった。メ
ケータイのメモリ容量とコストはどう変遷したか，Portelligent社が解析
デジタル機器の分解・解析を手がける米Portelligent社は，2003年～2007年における携帯電話機のメモリの容量と部品コストの分析結果を明らかにした。米カリフォルニア州サンタクララで米Denali Software社が主催したメモリ関連イベント「MemCon 2008」で発表したもの。 音声通話に特化した超低価格機では，ここ数年はメモリ容量に変化はなく，NOR型フラッシュ・メモリ＋SRAM/疑似SRAMというメモリ構成も変わらないという。その間，メモリの部品コストは下がり続け，現在では1～2米ドルまで低下した。写真の携帯電話機「Sagem Vodafone 226」ははGSM端末で，SRAM容量が1Mバイト，NOR型フラッシュ・メモリの容量は4Mバイト，メモリの部品コストは1.54米ドル，全体の部品コストは29米ドルと見込む。（図中右側の部品コストや容量は，Portelligent
【IDF 2007基調講演レポート】ジャスティン・ラトナー氏基調講演
会期：4月17日～18日(中国時間) 会場：Beijing International Convention Center IDF Spring 2007が開催された。初日の基調講演では、CTO(Chief Technology Officer)でIntel上級フェローのジャスティン・ラトナー氏(Justin R.Rattner)が登場した。ここ何回かのIDFでは、ラトナー氏が最初のスピーチに登場し、オッテリーニ氏などの経営陣が前面に出ることはなくなった。 ラトナー氏は、まずは、中国企業などとの協業について紹介したあと、中国に作った工場(Fab)の話をした。この工場には、Fab 68という番号が付けられている。これまでのIntelのやり方では、Fabには計画した順番に番号が振られているが、今回は違っている。それは、6と8が中国では縁起のいい数字だからだという。「6」は「安全な航海」、「順調
ソニーが800Mbpsの高速転送・大容量メモリーカードを開発、今年中に出荷へ
ソニーがサンディスクと共同で、業務用ビデオカメラなどに向けて、世界で初めてPCI Expressインターフェースを採用した、800Mbpsという高速転送が可能な大容量メモリーカード「SxSメモリーカード」の技術仕様を共同で策定し、開発に取りかかったそうです。 なお出荷は2007年内を予定しているとのこと。 詳細は以下の通り。 Sony Japan｜プレスリリース | サンディスクとソニー、業務用ビデオカメラ向けの高速データ転送が可能な大容量メモリーカードの技術仕様の策定に基本合意 このリリースによると、「SxSメモリーカード」は、従来のPCカード規格に代わる次世代PCカードとして、近年パソコン業界での普及が急速に進んできた「ExpressCard」規格に世界で初めて準拠しており、最大転送速度が2.5Gbps（理論値）という、高速なPCI Expressインターフェースを通じて信号を変換せず
IBMなど，フラッシュ・メモリーより500倍高速なPCM方式のメモリーを開発
米IBM，台湾Macronix International，ドイツQimonda（ドイツInfineon Technologiesの子会社）の3社は，Phase-Change Memory（PCM:相変化メモリー）と呼ぶ新しい不揮発性メモリー（NVM）を開発した。3社が米国時間12月11日に明らかにした。新たな材料を利用することで，現在のフラッシュ・メモリーより高速で，メモリー・セルが小さいPCMを実現できたという。 PCMは，データを電気として保存するのではなく，特殊な素材の状態（相）をアモルファス状態から結晶状態に切り替えることによりデータを保存する新しい方式のメモリー。電源を切ってもデータを保持できる不揮発性を備え，高速/高密度データ・ストレージを実現できる可能性があるという。 3社は，ゲルマニウム/アンチモン（GeSb）合金に不純物を添加した材料を用い，PCMを製造した。結晶状態の
1
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
液体金属と水でできたゼリー状記憶装置、米大学の研究者が開発