ガスクラスターによる高速異方性エッチング、平坦化加工技術を開発 - Iwatani2008/12/03 ガスクラスターによる高速異方性エッチング、平坦化加工技術を開発 ～京大と共同開発。プラズマレスで低ダメージエッチング、Si深堀エッチング加工を実現～ 岩谷産業株式会社 京都大学松尾准教授と岩谷産業株式会社(本社:大阪・東京、社長:牧野明次、資本金200億円)は共同で、プラズマレスで半導体やMEMS向け高速異方性エッチングや平坦化加工を実現する「ClF3ガスクラスターエッチング」技術を開発した。 ■本技術の原理 本技術は、ガスを事前に放電させずに、基板に吹き付けて異方性加工を実現するという画期的なものである。具体的には、ClF3(三フッ化塩素)ガスをノズルから真空チャンバーに吹き込むことで急激に断熱膨張させ、反応性ガスの分子・原子をクラスターと呼ばれる大きな集合体(数百から数万個の塊)にして基板に吹き付けたところ、室温下でも十分な異方性加工ができる結果を得た。クラスター
