DRAM大手の独Qimondaが破綻 - メモリ価格下落が直撃 | パソコン | マイコミジャーナル
ドイツの半導体メーカーQimonda AGは1月23日(現地時間)、地元ミュンヘンの地方裁判所に破産法に基づく資産保護を申請し、事実上破綻した。同社は昨年末に提示したリストラプランを早急に進め、事業の立て直しを図っていく。半導体大手の独Infineon Technologiesからスピンオフする形で2006年5月に独立した同社だったが、主力のDRAM事業が昨今の金融危機による需要減で大幅な価格下落に悩まされており、それが結果として業績に止めを刺す形となった。 QimondaはPC/サーバ向けDRAM製造では大手で、300mmウェハの製造設備を業界に先駆けて導入したことでも知られる。2006年のスピンオフ後もInfineonがQimonda株の77.5%を保持しており、事実上の親会社になっている。だが年々DRAM市場が悪化するなかでQimondaの業績は下降を続け、2008年10月13日には
IBM、45ナノメートルSOI技術を活用したファウンダリサービスを提供開始
IBMが、同社のシリコンオンインシュレータ（SOI）技術を用いて、45ナノメートルチップを製造する「ファウンダリ」サービスの提供を開始した。 今やファウンダリはチップ業界の一大事業となっている。世界最大のファウンダリTaiwan Semiconductor Manufacturing Company（TSMC）は、Advanced Micro Devices（AMD）とNVIDIA向けにチップを製造している。AMDは10月、同社の製造事業をファウンダリとして分社化すると発表した。 従来、ファウンダリが提供していた最新の製造技術の大半は65ナノメートル製造プロセスがベースだった。一般に、チップは製造プロセスが微細化されるほど、チップの動作速度や電力効率は高くなる。 IBMは米国時間11月10日、SOI技術を使った45ナノメートルチップのファウンダリサービスを提供開始したことを発表した。現在、
世界の半導体売り上げ予測、250億ドル以上の下方修正――Gartner
米調査会社Gartnerは11月3日、2009年の世界半導体売上高の前年比成長率を、前回の前回の予測よりも約7ポイント低い、1％へと下方修正した。 2008年第3四半期時点で同社が出した予測では、2009年の売上高は前年比7.8％増の3077億ドルだった。今回同社はこの予測から257億ドル引き下げ、1％増の2820億ドルに下方修正した。 2008年第3四半期の半導体売り上げは、前四半期比約5％増とほぼ予測を達成した。しかし第4四半期については、半導体各社から売り上げ予測の下方修正が相次いでいる。Gartnerでは現時点で、2008年通年の売り上げを前年比2％増の2794億ドルとみている。 同社によれば、景気後退にもかかわらず半導体が堅調な成長率を示してきたのは驚くべきことだが、第4四半期からはこの流れも変わるという。同期から成長率はマイナスに転じ、その傾向は2009年も続くと同社はみる。
【レポート】TSMC、2008年第2四半期業績と日本市場の動向に関する説明会を開催 (1) 65nmプロセスの採用が進む | エンタープライズ | マイコミジャーナル
TSMCジャパン 代表取締役社長 小野寺誠氏 台湾の半導体ファウンドリTaiwan Semiconductor Manufacturing Company(TSMC)の日本法人であるTSMCジャパンは1日、都内で2008年第2四半期(4-6月)の決算概要ならびに日本の概況などに関する説明を行う記者会見を開催した。 TSMCの同四半期売上高は、前年同期比17.6%増となる881億3,700万NTドル、営業利益は同22.8%増の303億7,300万NTドルとなった。アプリケーション別の売上高比率はコミュニケーションが41%、コンピュータが31%、コンシューマが21%、産業/その他が7%となった。 また、売上高における各製造プロセスの比率は0.5μm以上が4%、0.25/0.35μmが10%、0.15/0.18μmが23%、0.11/0.13μmが17%、90nmが28%、65nmが18%となっ
【レポート】微細プロセス実現の解決策となるか - ナノインプリント技術の現状に迫る | エンタープライズ | マイコミジャーナル
「ナノインプリント」は、ハンコを押すように、テンプレートを基板に押し当てることでナノオーダの微細加工を実現する技術だ。近年、この技術をLSIやメモリなどの半導体製造に応用し、回路線幅の微細化と低コスト化を同時に実現しようとする試みが進められている。 現在量産されている半導体製品の回路線幅は、最も細いもので40から45nm。次世代プロセスとなる30nm台のパターン形成は、従来の半導体露光装置を使い、回路パターンを2回に分けて転写する「ダブルパターニング方式」を取り入れることにより実現できる見込みだ。しかし、さらに微細な20nm以下の回路線幅の描画には、従来の露光方式に原理的な限界があるとされ、次世代回路形成技術の確立が急がれている。また、半導体製品の微細化への技術要求が高まる一方、メモリ製品に代表される半導体製品の価格は下落の一途をたどっており、製造装置価格や製造原価の低減も大きな課題となっ
【MemCon 2008レポート】Spansionが気を吐く、MirrorBitの優位性を強調
会期：7月21～24日(現地時間) 会場：米国カリフォルニア州サンタクララ Hyatt Regency Santa Clara 半導体メモリに関する講演会「MemCon 2008」では、フラッシュメモリの大手ベンダーであるSpansionが気を吐いていた。23日にフラッシュメモリの将来を展望する講演で同社のフラッシュメモリ技術「MirrorBit」の優位性を強調し、前日の22日にはDRAMの置き換えを狙うフラッシュメモリ技術「EcoRAM」の内容を一部明らかにした。本レポートでは、Spansionによる2件の講演の概要を紹介する。 SpansionのField Engineering & Corporate Strategic Marketing担当のバイスプレジデントを務めるDan Byers氏 23日の講演者は、SpansionのField Engineering & Corporat
Spansion、検索サーバ向けのメモリ「EcoRAM」を今年後半にも発売へ | エンタープライズ | マイコミジャーナル
米Spansionは、データセンタで稼動する検索サーバ向けのメモリ「EcoRAM」を今年後半にも発売すると発表した。DRAMの置き換えを狙ったもので、消費電力は約8分の1と低い。 「EcoRAM」は、NOR型とORNAND型のフラッシュメモリを組み合わせた同社独自の「MirrorBit Eclipse」アーキテクチャを採用したメモリをDIMMモジュール化したもの。 DRAMはコンデンサに電荷を蓄えて記憶を保持するが、この電荷は時間の経過とともに減少してしまう。そのため、DRAMは一定時間ごとに電荷を再度蓄えるためのリフレッシュ(再書き込み)動作が必要になる。一方でフラッシュメモリであるEcoRAMはリフレッシュ動作が不要であるため、消費電力が低減い。 本製品をサーバに搭載する際には、米Viridentが開発した「Green Gateway」が必要となる。DRAMをEcoRAMに置き換えるこ
後藤弘茂のWeekly海外ニュース
●容量世代とDRAM技術の移行 なぜDRAMの技術世代の移行はこんなに時間がかかるのか。DDR3も全然移行が始まらないし、DDR2も時間がかかった。移行が難しい理由はいくつかあるが、DRAMの容量世代のサイクルとのずれも影響している。 DRAMの技術の移行は、容量世代の移行と重なるとスムーズに行なわれる。なぜなら、ダイオーバーヘッドが目立たなくなるからだ。標準技術のDRAMチップに対して、新技術のDRAMチップのサイズの肥大化がダイオーバーヘッドで、新技術DRAMには、必ずダイオーバーヘッドがある。しかし、DRAM容量の世代をまたぐと、このダイオーバーヘッドが目立たなくなる。 DRAM業界は、もともとは、DDR1からDDR2への移行時に、容量世代の移行と技術の移行をリンクさせるシナリオを想定していたと言われる。256Mb(Mbits) DRAMから512Mb DRAMへの移行が、DDR1か
半導体技術の現状と今後について、東芝・石丸一成氏に聞く
IEDM 2007会場にて、Toshiba America Electronic Componentsのエンジニアリングディレクターで、IEDM 2007のPublicity Vice-Chairの石丸一成氏にお話を伺う機会を得た。東芝の半導体技術を中心に、現状と今後についてお話を伺った。 フラッシュメモリ技術の今後 東芝といえば、最近はNANDメモリで元気がいい。今回のIEDMで東芝は「マカロニフラッシュメモリ」と愛称される新しいフラッシュメモリ構造を発表した。しかし東芝は既に今年の6月にVLSI Symposiumにて、同種のメモリ構造を発表している。今回の発表での違いを聞くと、「VLSI Symposiumではコンセプトのみを紹介した。IEDMでは技術のより詳細を紹介した」ということだった。 「Optimal Integration and Characteristics of Ve
IEDM実行委員会が選ぶ注目講演、High-k/Metal-gate FETやNVRAMなどを列挙
会期：12月10日～12日(現地時間) 会場：米国ワシントンD.C. Hilton Washington and Towers 半導体デバイス技術に関する世界最大の国際学会IEDM(International Electron Devices Meeting)」が始まった。初日の12月10日は、正午に報道機関向けの昼食会(プレスランチョン)がIEDM実行委員会によって開催され、IEDM 2007のハイライトが紹介された。 IEDM2007の実行委員会でPublicity Chairを務めるMeikei Ieong氏(台湾TSMC)が、見どころ(ハイライト)を説明した ハイライトの紹介役を務めたPublicity ChairのMeikei Ieong氏(台湾TSMC)は最初に、CMOSデバイスの性能が何よって決まるかを説明した。3つの決定要因があり、1つがスケーリング(微細化)、もう1つがキ
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【レポート】TSMC、28nm以降のプロセスロードマップを公開 - MEB ML2やEUVの適用も検討 | エンタープライズ | マイコミジャーナル