Intelの10nmチップ、鍵はIII-V族半導体と量子井戸構造かIntelは10年近くにわたり、量子井戸電界効果トランジスタ（QWFET）の研究を進めてきた。ある半導体アナリストは、Intelの10nmチップは、III-V族半導体、具体的にはInGaAs（インジウム・ガリウム・ヒ素）とGe（ゲルマニウム）を用いたQWFETになると予測している。 ある半導体アナリストが、Intelが次の2世代で用いるプロセス技術について大胆かつ詳細な予測を立てている。この予測が正しければ、Intelは業界で再び一歩先を行くようになるだろう。 そのアナリスト、David Kanter氏は、自身のWebサイト「Real World Technologies」に投稿した記事の中で、Intelは10nmプロセス以降、QWFET（Quantum-Well FET：量子井戸FET）を用いるようになると述べた。この新たなトランジスタ構造では、2つの新素材が用いられるようになる。具体的
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