「ケータイの中上位機種はNANDフラッシュへ移行」，Micron社が指摘「携帯電話機で使うフラッシュ・メモリは，中・上位機種ではNAND型，下位機種ではNOR型と二つに分かれるだろう」－－。米Micron Technology, Inc.でNANDフラッシュ・メモリの事業を統括するVice President of NAND DevelopmentのFrankie Roohparvar氏は，メモリ関連の会議「Flash Memory Summit 2006」の基調講演に登壇して携帯電話機向けフラッシュ・メモリの方向性についての考えを披露した。
東芝，論理アドレス・アクセス方式の多値NANDフラッシュ・メモリを発売
東芝は，論理アドレス・アクセス方式を採用した，メモリ・コントローラ内蔵型の多値NANDフラッシュ・メモリ「LBA-NAND」を発売する。同一のパッケージ内でメモリとコントローラ・チップを積層することで実現する。微細化などの世代交代などに伴うメモリ・チップの仕様変更をメモリに内蔵したコントローラで管理するため，機器側のコントローラやドライバ・ソフトウエアの開発負担が低減できるとしている。携帯型音楽プレーヤや携帯電話機などに向ける。
東芝、論理アドレスアクセス方式採用のNAND型フラッシュメモリを開発
東芝は8月2日、携帯オーディオプレーヤー、パーソナルメディアプレーヤー、携帯電話などのデジタルコンシューマ機器向けに、論理アドレスアクセス方式を採用したNAND型フラッシュメモリ「LBA-NAND」を開発し、8月からサンプル出荷を開始すると発表した。 LBA-NANDは、NAND型フラッシュメモリインタフェースを搭載し、論理アドレスアクセス方式を可能にしたNAND型フラッシュメモリの新製品だ。 現在幅広く採用されている物理アドレスアクセス方式のNAND型フラッシュメモリでは、世代交代などにより仕様が変わると、その度に機器側のホストコントローラの仕様やドライバソフトウェアを変更する必要が生じるという問題があった。 今回の新製品では、論理アドレスアクセス方式の採用により、NAND型フラッシュメモリの仕様の相違を機器側のホストコントローラで管理する負担を軽減するとともに、ブロック管理、ECC処理
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米Spansion、高速かつ大容量の新型フラッシュメモリ