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「1mm2当たり1億80万個のトランジスタを詰め込む計画」
chintaro3 のブックマーク 2017/04/05 07:35
Intelが10nmプロセスの詳細を明らかに[PC]「1mm2当たり1億80万個のトランジスタを詰め込む計画」2017/04/05 07:35
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eetimes.itmedia.co.jp2017/04/04
22nmの低消費電力FinFETプロセス Intelは10nmプロセスで、1mm2当たり1億80万個のトランジスタを詰め込む計画である。既にリスク量産が始まっているTSMCやSamsung Electronicsの10nmプロセスのトランジスタ密度は...
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「1mm2当たり1億80万個のトランジスタを詰め込む計画」
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Intelが10nmプロセスの詳細を明らかに
22nmの低消費電力FinFETプロセス Intelは10nmプロセスで、1mm2当たり1億80万個のトランジスタを詰め込む計画である。既にリスク量産が始まっているTSMCやSamsung Electronicsの10nmプロセスのトランジスタ密度は...
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