自己組織化を利用し、直径20nmの孔を、ウエハー上に形成。現在の最新リソグラフィー技術での孔(パターン)の5分の1以下だ。エアギャップにより、電気信号の伝達速度が従来半導体よりも35％速く、消費電力も15％低減。

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n-u-ki のブックマーク 2007/06/07 02:08

<blockquote class="hatena-bookmark-comment"><a class="comment-info" href="https://b.hatena.ne.jp/entry/4633502/comment/n-u-ki" data-user-id="n-u-ki" data-entry-url="https://b.hatena.ne.jp/entry/s/www.itmedia.co.jp/news/articles/0705/05/news007.html" data-original-href="https://www.itmedia.co.jp/news/articles/0705/05/news007.html" data-entry-favicon="https://cdn-ak2.favicon.st-hatena.com/64?url=https%3A%2F%2Fwww.itmedia.co.jp%2Fnews%2Farticles%2F0705%2F05%2Fnews007.html" data-user-icon="/users/n-u-ki/profile.png">IBM、「自己組織化」を応用した半導体製造に成功</a><ul class="comment-tag" style="list-style: none; margin: 0px;"><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/technology">technology</a>]</li></ul><br><p style="clear: left">自己組織化を利用し、直径20nmの孔を、ウエハー上に形成。現在の最新リソグラフィー技術での孔(パターン)の5分の1以下だ。エアギャップにより、電気信号の伝達速度が従来半導体よりも35％速く、消費電力も15％低減。</p><a class="datetime" href="https://b.hatena.ne.jp/n-u-ki/20070607#bookmark-4633502"><span class="datetime-body">2007/06/07 02:08</span></a></blockquote><script src="https://b.st-hatena.com/js/comment-widget.js" charset="utf-8" async></script>

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