[!GTD::資料(いつか読む)]【ISSCC 2008レポート】米SanDiskと東芝、3種類の16Gbit NANDフラッシュメモリを共同開発

sankaseki のブックマーク 2008/02/07 22:18

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【ISSCC 2008レポート】米SanDiskと東芝、3種類の16Gbit NANDフラッシュメモリを共同開発 - PC Watch

pc.watch.impress.co.jp2008/02/07

16Gbit NANDフラッシュメモリのチップ写真。製造技術は43nm CMOS、トリプルウエル、3層金属配線。チップ寸法は12.96×9.28mm。メモリセル面積は0.0088平方μm。2bit/セルのマルチレベルセルであるカンファレンス会...

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