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【ISSCC 2008レポート】米SanDiskと東芝、3種類の16Gbit NANDフラッシュメモリを共同開発 - PC Watch
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【ISSCC 2008レポート】米SanDiskと東芝、3種類の16Gbit NANDフラッシュメモリを共同開発 - PC Watch
16Gbit NANDフラッシュメモリのチップ写真。製造技術は43nm CMOS、トリプルウエル、3層金属配線。チップ... 16Gbit NANDフラッシュメモリのチップ写真。製造技術は43nm CMOS、トリプルウエル、3層金属配線。チップ寸法は12.96×9.28mm。メモリセル面積は0.0088平方μm。2bit/セルのマルチレベルセルである カンファレンス会期：2月4日～6日(現地時間) 会場：米国カリフォルニア州サンフランシスコ市 San Francisco Marriott Hotel 半導体の回路技術に関する国際学会ISSCC 2008が、カンファレンスの最終日を迎えた。午前中いっぱいと午後の前半には不揮発性メモリをテーマとするセッションが開催され、NANDフラッシュメモリやNORフラッシュメモリ、相変化型メモリなどの講演が相次いだ。 中でも目立っていたのは、米SanDiskと東芝の共同開発チームである。16Gbitと大容量のNANDフラッシュメモリを3種類も発表したのだ。メモリ容量は16Gbit
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