PRAM(相変化メモリー)の開発競争は約40年前*1)から続いているが、スイスNumonyx社と韓国Samsung Electronics社の大手2社がようやく市場投入という形でスターティング・ブロックを飛び出した(別掲記事「Numonyx社のCEO、PRAMに関する懐疑的な見解に対抗」を参照)。 両社によるとPRAMは、NAND型フラッシュ・メモリーに比べて記録密度を高くでき、高速なアクセス、低消費電力化、微細化も実現できるという。例えばSamsung Electronics社は、PRAMを用いれば、NAND型フラッシュ・メモリーを用いた場合と比べて、携帯電話機の電池駆動時間を20%以上伸ばすことが可能だと主張する。 Samsung Electronics社のメモリー部門でモバイル・メモリー・プランニング&イネイブリング・グループ担当バイス・プレジデントを務めるSei-Jin Kim氏は