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ReRAMに関するhati50のブックマーク (2)

  • 「なぜReRAMの量産一番乗りを果たせたのか」、パナソニックの責任者に聞いた

    パナソニックは2013年7月30日、ReRAM(抵抗変化型メモリ)を混載したマイコンを、業界に先駆けて2013年8月から量産すると発表した(関連記事)。ReRAMは、ストレージ・クラス・メモリ(SCM)やNANDフラッシュ・メモリ代替などをターゲットに、世界中の半導体メーカーが競って開発を進めている次世代メモリである。その量産化で、パナソニックが先陣を切ることができた理由は何か。同社 オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社でマイコンなどの半導体事業を統括する多那瀬寛氏(パナソニック オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社 セミコンダクター事業部 システムインテグレーション 総括)に聞いた。 ─韓国Samsung Electronics社など名だたる半導体メーカーが長年、ReRAMの開発を進めてきた。パナソニックが量産化で一番乗りを果たせた理由はどこにあるのか。 多那瀬氏 当

    「なぜReRAMの量産一番乗りを果たせたのか」、パナソニックの責任者に聞いた
    hati50
    hati50 2013/07/31
    PanasonicのReRAMが量産に乗ってきました。PanaのReRAM構造は下部TiN、抵抗変化層TaO(表面のみTa2O5)、上部がIr。このイリジウムがFeRAMからの使いまわしで、それが文中のFeRAM混載マイコン技術を流用になっております。
  • 【IEDM】Samsungが大容量3次元ReRAMに向けた記憶素子を開発、多値化のポテンシャルも実証

    韓国Samsung Electronics社は、NANDフラッシュ・メモリをしのぐ大容量の3次元ReRAM(抵抗変化型メモリ)の実現に向けた記憶素子技術を開発した(論文番号20.8)。書き換え電流が1μA未満と小さいことに加え、電流-電圧特性の非線形性が強く、非選択セルへの電流の回り込みを防ぎやすい。書き換え回数は107回以上を確認した。電流コンプライアンスの条件を変えることで、2ビット/セルの多値化が可能であることも示した。

    【IEDM】Samsungが大容量3次元ReRAMに向けた記憶素子を開発、多値化のポテンシャルも実証
    hati50
    hati50 2012/12/12
    書き換え電流1uAってマジかよ、三星すげーと思ったが良く見るとON抵抗値が高いなぁ。あと、データ点数が10点しかない。マイコン混載目的では使えないReRAM技術だわ。フラッシュ混載なら電圧3V駆動のようだし魅力ありか
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