マイクロプロセッサなど論理回路で構成されるLSIチップの上に集積したDRAMのこと。「混載DRAM」と訳されることもある。eDRAMは、同一のチップ(ダイまたはパッケージ)の中に、マイクロプロセッサやASICなどの論理回路とDRAMを統合したもの。外部のメモリモジュールとバスで接続する場合に比べ高速にアクセスできるが、容量は限られる。また、従来プロセッサのキャッシュメモリなどに使われてきたチップ内のSRAMと比べると、容量を大きくすることができる。ゲーム機向けのグラフィックスチップなどでよく利用されている。
eDRAM(Embedded DRAM)、混載DRAMは、メインのASICやプロセッサと同じダイまたはパッケージに統合された、キャパシタベースのDRAMである。 概要[編集] 外部DRAMモジュールや、主にキャッシュとして使われるトランジスタベースのSRAMと対比される。 DRAMを混載することで、バス幅を広げ、処理速度を向上させることができる。DRAMはSRAMに比べて集積度が高いため、潜在的にはより大容量のメモリを使用可能である。しかし、製造工程の違いにより単一ダイへの統合は難しく、複数のダイを1チップに封入する必要があるため、コストを押し上げる要因となっている。最近では、1T-SRAMなどのように、標準CMOSプロセスを使ってeDRAMを製造することで、この問題を回避しつつある。 「eDRAM」を搭載しているプロセッサ[編集] IBM - POWER7 インテル - Core i7
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