NTTがAlNトランジスタ、SiCやGaN超えの超低損失パワーデバイスへ
NTTは2022年4月22日、窒化アルミニウム（AlN）トランジスタを開発したと発表した。AlNは、次世代パワーデバイスの材料として、NTTなど一部の研究所で基礎研究が進められている。物性上は炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）よりも損失が小さく耐圧が高いことから、高電圧で高効率な電源回路を形成できる。そのため、カーボンニュートラルとの親和性が高い。今回、NTTがAlNトランジスタを「世界で初めて」（NTT）開発したことで、AlNデバイスが実用化に向け一気に近づいた。 AlNは、伝導帯と価電子帯とのエネルギー差である「バンドギャップ」が6.0eVあり、シリコン（Si）の1.1eV、SiCの3.26eV、GaNの3.4eVなどと比べて非常に大きい。このことから、ダイヤモンド半導体などと共に「ウルトラワイドバンドギャップ半導体」の1つに数えられる。 バンドギャップが大きいため、絶縁破壊
NTTが世界初の新型トランジスタ 次世代パワー半導体の実験成功：朝日新聞デジタル
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