プレスリリース「ＢＮ／Ｓｉヘテロダイオード太陽電池の試作に成功」｜独立行政法人 物質・材料研究機構概要 独立行政法人物質・材料研究機構（理事長：岸 輝雄）半導体材料センターの小松正二郎グループリーダーらは、可視光に対して透明で、もっとも丈夫な材料（高温耐火物）のひとつである高密度窒化ホウ素（sp3-結合性BN）による太陽電池の試作に世界で初めて成功した。 地球温暖化、燃料資源の枯渇・高騰に対処するため、様々な省エネルギー技術・新エネルギー開発が活発化している。なかでも太陽電池はシリコン太陽電池の実用化により普及が世界的に進んでいる。しかし、シリコンにはない機能や特徴を持つ太陽電池材料の発見、開発の余地もまだ大きく残されており、開発競争は激しい。 今回発表するBN/Si系太陽電池は今まで報告例がなく、物質・材料研究機構が世界に先駆けて着手し、作製に成功した。 BNは、紫外レーザや透明トランジスタなどを可能にするワイドバンドギャップ1)半導体2)として、期待されている材料だが、従来は半導体
