次世代省電力・小型デバイス設計の道を拓く ~計算機シミュレーションにより、電子デバイス中の電子の流れを原子・電子スケールで高精度に解明~ ポイント 電子の流れを原子・電子スケールで高速・高精度に予測する計算技術を開発しました。 シリコンカーバイド(SiC)デバイス界面での電子の流れる通路に着目した第一原理シミュレーションを、世界で初めて行い、デバイスの性能を低下させる新たな要因を発見しました。 SiCパワーデバイスの性能向上と、その計算技術を他のデバイスへ適用する道が拓けました。 筑波大学 計算科学研究センターの小野 倫也 准教授らは、電子デバイス中の電子の流れを原子・電子のスケールから高速・高精度に予測できる計算方法を開発しました。さらに、次世代省エネパワーデバイスとして有力な候補である、シリコンカーバイド(SiC)デバイスにおける内部の界面での電子の流れる通路に着目した第一原理シミュレ