「電源向けとして実用水準の特性を達成した」，富士通研究所がGaN系パワー半導体素子を開発富士通研究所は，「電源向けとして実用水準の特性を達成した」（同社）とする，GaN系半導体を使うHEMTを開発した（発表資料）。このHEMTをベースにして，2011年後半ごろの実用化，2013～2014年ごろの量産を目標に据える。まずはサーバーの電源回路への適用を目指し，続いてノート・パソコンのACアダプターへの採用を狙う（図1）。その後，ハイブリッド車や電気自動車といった電動自動車，家電などへの用途拡大を期待している。
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