ドイツInfineon Technologies AGグループは,SiCの国際学会「7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM)」で,SiCデバイス・チップの新しい接合技術を披露した(講演番号:TuLN-2)。パッケージのリードフレームとチップとの接合に一般的なはんだではなく,「diffusion solder」を用いる。従来のはんだ接合に比べて実装上の利点があり,かつ製品の信頼性の向上につながるという。発表した技術を適用した耐圧600VのSiC製ショットキー・バリア・ダイオードを「2008年10月から発売する予定」(発表者)という。