【ECSCRM】Infineonら，SiCダイオードに適用した新しいチップ接合技術を発表
ドイツInfineon Technologies AGグループは，SiCの国際学会「7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ECSCRM）」で，SiCデバイス・チップの新しい接合技術を披露した（講演番号：TuLN-2）。パッケージのリードフレームとチップとの接合に一般的なはんだではなく，「diffusion solder」を用いる。従来のはんだ接合に比べて実装上の利点があり，かつ製品の信頼性の向上につながるという。発表した技術を適用した耐圧600VのSiC製ショットキー・バリア・ダイオードを「2008年10月から発売する予定」（発表者）という。
なぜ製鉄会社が、最先端半導体分野を？：日経ビジネスオンライン
2009年春、1つのニュースが世界を駆け巡った。 新日本製鉄（新日鉄）が、20年近く開発を続けてきた炭化ケイ素（SiC）単結晶ウエハーが製品となったのだ。子会社の新日鉄マテリアルズが2インチ（50ミリメートル）、3インチ（76ミリメートル）、4インチ（100ミリメートル）というサイズのSiCウエハーを4月1日から製造販売している。2008年の第18回「日経BP技術賞」機械システム部門賞を獲得した「内部欠陥の少ない大口径炭化ケイ素（SiC）単結晶ウエハーの製造」という技術が、いよいよ世に出る瞬間を迎えている。 SiCウエハーとは、SiCの単結晶で作られたインゴット（円柱形の塊）を厚さ約0.36～0.37ミリメートルという極薄で円盤状にスライスしたもの。モーターの回転数を調整するインバーターなどに利用されているパワーデバイス（電力用半導体素子）の基板材料として利用されている。 大きな省エネ効果
1
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
三菱電機 ニュースリリース 11kWのSiCインバーターで、世界最高値となる電力損失約70％低減を実証
NEDOの次世代パワーエレクトロニクス技術開発プロジェクトの委託先が決定 | エンタープライズ | マイコミジャーナル