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HPがハイニックスと共同でメモリスタを製品化、2013年末までに最終製品が登場 | EE Times Japan
図1 メモリスタの原子間力顕微鏡像 17本のメモリスタ素子が写っている。それぞれの素子は2本の結線に挟まれた2層のTiO2（二酸化チタン）からなる。メモリスタ上部の結線に電圧を印加するとTiO2層の抵抗値が変化する。この現象を利用してビット情報を保持できる。 出典:R. Stanley Williams氏 ヒューレット・パッカード（HP）は、2010年8月31日、韓国のハイニックスセミコンダクターと新型素子である「メモリスタ」（memristor）の製品化に向けた共同開発契約を結んだ（図1）。 HPが開発したメモリスタ技術は技術開発段階にある。メモリスタをReRAM（Resistive RAM、抵抗変化メモリ）として製品化するために、両社は共同で新材料の開発と製造技術を開発する予定だ。 HPによれば今回の契約は非独占的であるという。ReRAMの開発に関してハイニックスセミコンダクター以外
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