「論文は読むな」画像×AIの専門家から初心者へのアドバイス
何をしたいかで有名どころのGANの種類、派生を整理
GANZOOとかって形でGANまとまっているけど、GANの名前を見せられても困るでしょってのが正直なところ。初めてGANを見る人はどういうことができるのかで見たいのだと思う. https://github.com/hindupuravinash/the-gan-zoo ので、何ができるのかベースでGANを以下に列挙していく. GANは確かに多すぎるので、適宜更新してGANを追加していきます. にしてもGANの増え方は凄まじいですよね… 以下画像は上記アドレスより引用. 間違っているかもしれないので、鵜呑みにはせずどういった技術かは改めて確認してください. あと,分類はアカデミックなものでなく直感的にわかりやすい形で分類していますので、悪しからず. ぼんやりとお探しのGANが決まっている方にそれを絞り込むThothnatorを作りました↓ どうぞ使ってみてください! 有名なGANのThoth
画像認識技術：環境変動にロバストな文字認識技術｜Software & AI Technology｜東芝デジタルソリューションズ
さまざまな環境変動に適応する文字認識技術により、ものづくりの現場を支援 近年、ビッグデータを活用した業務改善や製品のトレーサビリティ確保が重要視されるようになってきており、ものづくりの過程で個体識別情報等を取得・管理することが強く求められています。通常、製品種別はバーコード等の機械識別用に特化した情報で管理できますが、製造中の製品番号や部材のロット番号など、個体ごとに付与される識別情報は文字でしか記載がないケースが多いため、文字情報の取得・活用が課題となっています。 製造番号などの読取りはカメラで撮影した映像に基づいて行なう必要がありますが、照明不足や、日光の影響による白飛び、シャッター操作時の手ブレ、撮像デバイスの解像度不足（実装面での都合やコスト面での制限）などの環境変動が原因で映像の品質が低下しがちです。そういった画質の低さや類似文字の存在などで文字の判別が難しい場合があるため、低画
高周波GaN次世代素子が存在感、旧来素子からの移行が本格化へ
高周波信号の大電力増幅に用いる素子（デバイス）として、GaN（窒化ガリウム）材料を使うトランジスタが存在感を増している。これまで電子管やGaAs(ガリウム・ヒ素) FET、Si（シリコン） LDMOSといったデバイスが使われていた応用分野で、GaNトランジスタへの移行が進む条件が整い始めているのだ。GaNデバイスの魅力とは。置き換えが進む条件とは。製品の開発状況は。背景や動向をまとめた。 GaN（窒化ガリウム）材料を使う高周波信号増幅用の大電力トランジスタの普及が、さまざまな分野で着実に進んでいる。かつては、防衛分野をはじめとした限られた領域でしか利用されていなかったが、近年になって航空管制用レーダー装置や衛星通信基地局、気象レーダー装置、医療機器などの分野でも採用が進み始めた（図1）。さらに、携帯電話の基地局にも、すでに数多くの搭載事例がある。 これらの分野では従来、マグネトロンやクライ
電力密度の向上を可能とする次世代半導体「GaN」 - その利点を理解する
GaNデバイスは、MOSFETと比較して、より高速、より発熱が少なく、より小型のソリューションを提供する、高密度電力回路向けの次世代半導体です。 パワー・エレクトロニクスの世界は、1959年にベル研究所のダーロン・カーング(Dawon Kahng) とマーティン・アタラ(Martin Atalla)がMOSFET(金属酸化物電界効果トランジスタ)を発明したことで、その画期的発展の第一歩をしるしました。その5年後に、最初の商用MOSFETの量産が開始され、その後、数々の世代のMOSFETトランジスタによって、それまでのバイポーラ・トランジスタでは実現できない性能レベルと密度レベルを達成できるようになりました。 しかし近年、これらの進歩は先細りになりつつあり、次の飛躍的なテクノロジが求められるようになりました。その中でGaN(窒化ガリウム)半導体が登場しました。 ワイド・バンドギャップ・トラン
富士通、W帯向けGaNパワーアンプの開発に成功
富士通と富士通研究所は2016年1月25日、従来より1.8倍の出力性能を実現した、W帯（75～110GHz）向けの窒化ガリウム(GaN)送信用パワーアンプを開発したと発表した。 富士通と富士通研究所は2016年1月25日、W帯（75～110GHz）向けの窒化ガリウム（以下、GaN）送信用パワーアンプを開発したと発表した。100GHzにおいて高い出力が可能なGaN-HEMT（High Electron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ）技術を応用し、開発に成功した。従来のパワーアンプと比較して、1.8倍の出力性能を実現。これにより、無線ネットワークで約30％の長距離化を可能にした。 イベントや災害時などの一時的に大量の通信を必要とする場合や、光ファイバーの敷設が困難な離島などで、大容量の高速無線通信ネットワークを構築するのに適するという。 独自構造のGaN-H
富士通，世界最高出力のGaNパワーアンプを開発
富士通と富士通研究所は，半径数キロメートル（km）規模をカバーする大容量無線ネットワークに適用可能な，窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）を利用したW帯（75から110GHz）向けの送信用高出力増幅器（パワーアンプ）を開発した（ニュースリリース）。 光ファイバーの敷設が困難な地域などにおいて，毎秒数ギガビット以上の高速無線通信を実現するには，広い周波数帯域を利用できるW帯などの高周波数帯を使った無線通信が有望だが，数km以上の遠距離伝送には，パワーアンプの出力電力をワット級まで高める必要がある。 今回，100GHzにおいて高い出力が可能なGaN-HEMT技術を応用し，W帯送信用パワーアンプの開発に成功した。 パワーアンプの設計において高い出力性能を達成するために，まず，GaN-HEMTを高周波動作させたときの特性を高精度に測定してモデル化を行ない，それをもとにGaN-
世界最高出力性能を有するW帯向け窒化ガリウム送信用パワーアンプの開発に成功 : 富士通
English PRESS RELEASE （技術） 2016年1月25日 富士通株式会社 株式会社富士通研究所 世界最高出力性能を有するW帯向け窒化ガリウム送信用パワーアンプの開発に成功 従来の1.8倍の出力性能を達成し、高速無線ネットワークで30%超の長距離化を実現 富士通株式会社（以下、富士通）と株式会社富士通研究所（注1）（以下、富士通研究所）は、半径数キロメートル(km)規模をカバーする大容量無線ネットワークに適用可能な、窒化ガリウム(GaN)（注2）高電子移動度トランジスタ（HEMT）（注3）を利用したW帯(75から110ギガヘルツ（以下、GHz）)向けの送信用高出力増幅器（以下、パワーアンプ）を開発しました。 光ファイバーの敷設が困難な地域などにおいて、毎秒数ギガビット以上の高速無線通信を実現するには、広い周波数帯域を利用できるW帯などの高周波数帯を使った無線通信が有望ですが
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