IBM，100倍以上の高密度化が可能な新型メモリー「レーストラック・メモリー」を発表
米IBMは米国時間2008年4月10日，記憶密度を現行メモリーの100倍以上に高められるという新型メモリー「レーストラック・メモリー」（レース場メモリー）を発表した。少ない消費電力で高速動作が可能で，可動部品を使わないため耐衝撃性に優れ，高い安定性／信頼性を持つうえ，製造コストが低いという。 デジタル・データをナノサイズのワイヤー上の微細な磁気パターンで表現し，このパターンを動かすことでデータの読み書きを行う。磁気パターンの移動する様子がレース場を走る自動車と似ていることから，レーストラック・メモリーと名付けた。このワイヤーを高い密度で集積すると，メモリーLSIとして利用できる。 まだ基礎研究の段階にあるが，レーストラック・メモリーを開発したIBMフェローのStuart Parkin氏は，今後10年以内に実用化可能と見込む。「フラッシュ・メモリーの高速性／信頼性と，ハード・ディスク装置の大
ドコモがSuper 3G実験を初公開，走行中でも実効速度240メガ超を記録
NTTドコモは2008年4月10日，横須賀リサーチパーク（YRP）内にあるNTTドコモ R＆Dセンタで，同社が開発を進める「Super 3G」（LTE）の実証実験を外部に初公開した。 走行しながら240Mビット/秒超を記録，遅延も11ミリ秒程度 今回ドコモが公開した実験（写真1）では，1.7GHz帯の20MHzの帯域幅を使い，4本の送受信アンテナによる4×4MIMO（multiple-input multiple-output）のシステムを利用。このシステムの理論上の最大速度は約300Mビット/秒となる。R＆Dセンタの屋上に設置したアンテナから電波を送信し，屋根にアンテナを搭載した車両を受信機として（写真2），YRPの付近を走行しながらハイビジョン画像を送受信する様子などを披露した（写真3）。 スループットは，時速30キロほどで走行しながら最高で240Mビット/秒を超える速度を記録した（写
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