IBM，100倍以上の高密度化が可能な新型メモリー「レーストラック・メモリー」を発表
米IBMは米国時間2008年4月10日，記憶密度を現行メモリーの100倍以上に高められるという新型メモリー「レーストラック・メモリー」（レース場メモリー）を発表した。少ない消費電力で高速動作が可能で，可動部品を使わないため耐衝撃性に優れ，高い安定性／信頼性を持つうえ，製造コストが低いという。 デジタル・データをナノサイズのワイヤー上の微細な磁気パターンで表現し，このパターンを動かすことでデータの読み書きを行う。磁気パターンの移動する様子がレース場を走る自動車と似ていることから，レーストラック・メモリーと名付けた。このワイヤーを高い密度で集積すると，メモリーLSIとして利用できる。 まだ基礎研究の段階にあるが，レーストラック・メモリーを開発したIBMフェローのStuart Parkin氏は，今後10年以内に実用化可能と見込む。「フラッシュ・メモリーの高速性／信頼性と，ハード・ディスク装置の大
ニンテンドー ゲームキューブ／スペック
IBM Power PC “Gekko” 製造プロセス 0.18ミクロン 銅配線技術 動作周波数 485MHz CPU性能 1125DMips（Dhrystone2.1） 内部データ精度 32bit 整数 ＆ 64bit 浮動小数点 外部バス バンド幅 1.3GB/秒（ピーク） 32bitアドレス、64bitデータバス 162MHz 内部キャッシュ L1: 命令32KB、データ32KB (8way) L2: 256KB (2way) システムLSI “Flipper” 製造プロセス 0.18ミクロン NEC DRAM混載 動作周波数 162MHz 混載フレームバッファ 約２MB 持続レイテンシ性能 6.2ns (1T-SRAM) 混載テクスチャキャッシュ 約１MB 持続レイテンシ性能 6.2ns (1T-SRAM) テクスチャReadバンド幅 10.4GB/秒 (ピーク) メインメモリ バ
【レポート】高性能メモリアーキテクチャ「1T-SRAM」の仕組み | ネット | マイコミジャーナル
1T-SRAM(ワンティーエスラムと呼ぶ)はMoSys社の開発したメモリアーキテクチャである。数年前より開発が進んでいたが、昨年、任天堂の発表した次世代ゲーム機での採用が発表され、話題となっていた。1T-SRAMの名前は、1個のトランジスタ(Tr)で実現するSRAM(相当のメモリ)ということから名付けられたのであろう。通常SRAMは6個のトランジスタから構成されるが、パソコンの主メモリとして利用されるDRAMは1個のトランジスタ(とキャパシタ)から構成される。このことからも想像されるとおり、1T-SRAMは、メモリセルにDRAMと同様の構造を採用、集積度を向上させつつ、SRAMインタフェースの使いやすさを提供し面倒なリフレッシュ動作をユーザーから隠蔽したメモリアーキテクチャということができる。 これらの特徴は1T-SRAMのメモリIPの国内販売代理店となったスピナカー・システムズのWebペ
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