IBM，100倍以上の高密度化が可能な新型メモリー「レーストラック・メモリー」を発表米IBMは米国時間2008年4月10日，記憶密度を現行メモリーの100倍以上に高められるという新型メモリー「レーストラック・メモリー」（レース場メモリー）を発表した。少ない消費電力で高速動作が可能で，可動部品を使わないため耐衝撃性に優れ，高い安定性／信頼性を持つうえ，製造コストが低いという。 デジタル・データをナノサイズのワイヤー上の微細な磁気パターンで表現し，このパターンを動かすことでデータの読み書きを行う。磁気パターンの移動する様子がレース場を走る自動車と似ていることから，レーストラック・メモリーと名付けた。このワイヤーを高い密度で集積すると，メモリーLSIとして利用できる。 まだ基礎研究の段階にあるが，レーストラック・メモリーを開発したIBMフェローのStuart Parkin氏は，今後10年以内に実用化可能と見込む。「フラッシュ・メモリーの高速性／信頼性と，ハード・ディスク装置の大
