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当社は、スマートフォンやタブレットなどに搭載されているモバイルプロセッサ用キャッシュメモリ向けに、世界最高注1の低消費電力性能注2を実現した新方式の不揮発性磁性体メモリ(STT-MRAM注3)を開発しました。新開発のSTT-MRAMは、世界で初めて注1、キャッシュメモリに適用されているSRAMよりも低消費電力での動作を実現しました。さらに、新型STT-MRAMのキャッシュメモリを搭載したプロセッサ用の高精度シミュレータを開発し、実際にプロセッサ上でソフトを動作させた際の消費電力が、標準的なモバイル向けプロセッサと比較して3分の1程度に低減できたという計算結果を示しました。 今回開発したのは、垂直磁化方式注4のSTT-MRAMをベースに、メモリ構造を改良すると同時に、30nm以下まで素子の微細化を進めた新方式のSTT-MRAMです。従来のSTT-MRAMでは、省電力化と速度向上は二律背反の関
不揮発性メモリ(ふきはつせいメモリ、英: Non-volatile memory)または不揮発性記憶装置(ふきはつせいきおくそうち、英: non-volatile storage)は、コンピュータで使われるメモリの一種で、電源を供給しなくても記憶を保持するメモリの総称である。逆に電源を供給しないと記憶が保持できないメモリは揮発性メモリと呼ばれる。 概説[編集] 不揮発性メモリは現在のところ、主に補助記憶装置(ストレージという語もあるが、この節ではメモリで統一する)として使われている。主記憶装置にはもっぱら揮発性メモリが使われている。主記憶がもし不揮発であれば、コンピュータの電源を断続する際に現在のような「シャットダウン → 再起動」というシーケンスが不要になり、ノートパソコンの「ハイバネーション」のような運用を、補助記憶への退避と復帰を行わずにできるなどという利点があるが、現在のところ主に
スマートグリッドやクラウドコンピューティングといった流れの中、今後コンピュータが社会のあらゆる局面で活用されることが予測されますが、その実現のためには、メンテナンスの観点・低炭素化の観点から更なる機器・システムの低消費電力化が求められています。しかしながら、半導体の微細化を中心とした従来技術では機器・システムの高集積化と低消費電力化の両立が困難になってきており、新たな技術的アプローチが求められています。電源を切っても情報を保持できる次世代不揮発性素子は、この点で大きな可能性を秘めています。本プロジェクトは、不揮発性素子を用いた低消費電力システム実現のための基盤技術の確立を目指すためのものです。 本プロジェクトでは、我が国が優位性をもつ不揮発性素子に関わるハードウェア技術の高度化と併せて、不揮発性素子を用いる機器・システム等のアーキテクチャ、ソフトウェア技術、システム化技術を世界に先駆けて一
エンタープライズシステムのエンジニアをやって10年以上。思うところを書いていきます。その他趣味を少々。。。 DBの世界に起きた大きな波 現在、どの製品を使ったとしてもRDBの性能問題は必ずといっていいほど発生する。理由は簡単で、CPU、ネットワークが高速化(CPUはマルチコア化、ネットワークは10G-Ethernetの一般化やInfiniBandなど)するのにディスク(ストレージ)が高速化に追いついていないからだ。その差を埋める役割として、RDBが担っているケースが多く、性能問題になるケースが散見される。 だが、そういう時代の流れに対して大きな変革が起きようとしている。SSDはかなりコモディティ化してきたので言うに及ばずといった感じだが、個人的には速いもののディスクの置き換えにすぎないと思っている。つまり、SSDは速いがDBのアーキテクチャに大きな変革をもたらすものではない。が、ここにきて
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