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ニュースリリース (2012-12-10)：世界最高の低消費電力性能を実現した新方式の不揮発性磁性体メモリ（STT-MRAM）を開発 | ニュース | 東芝
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ニュースリリース (2012-12-10)：世界最高の低消費電力性能を実現した新方式の不揮発性磁性体メモリ（STT-MRAM）を開発 | ニュース | 東芝
当社は、スマートフォンやタブレットなどに搭載されているモバイルプロセッサ用キャッシュメモリ向けに... 当社は、スマートフォンやタブレットなどに搭載されているモバイルプロセッサ用キャッシュメモリ向けに、世界最高注１の低消費電力性能注２を実現した新方式の不揮発性磁性体メモリ（STT-MRAM注３）を開発しました。新開発のSTT-MRAMは、世界で初めて注１、キャッシュメモリに適用されているSRAMよりも低消費電力での動作を実現しました。さらに、新型STT-MRAMのキャッシュメモリを搭載したプロセッサ用の高精度シミュレータを開発し、実際にプロセッサ上でソフトを動作させた際の消費電力が、標準的なモバイル向けプロセッサと比較して3分の1程度に低減できたという計算結果を示しました。 今回開発したのは、垂直磁化方式注４のSTT-MRAMをベースに、メモリ構造を改良すると同時に、30nm以下まで素子の微細化を進めた新方式のSTT-MRAMです。従来のSTT-MRAMでは、省電力化と速度向上は二律背反の関
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2013/01/07 リンク