LINE株式会社は、2023年10月1日にLINEヤフー株式会社になりました。LINEヤフー株式会社の新しいブログはこちらです。 LINEヤフー Tech Blog TL;DR:2022にフロントエンド開発で最も考慮すべきユーザー環境は、パフォーマンスでは低スペックのAndroid端末、標準仕様では2年前のSafari、そしてネットワークでは4Gです。それに対してはJSへの過剰依存などが原因で主にパフォーマンスの面でのウェブ全体の対応がよくありません。 こんにちは!LINEフロントエンド開発室のダバロス アランです。この記事のタイトルを見て「釣りタイトルですね〜」と考えている方がいると思いますが今回に限ってはそれを大目に見てください。それはなぜかと言いますと、2021年から2022年にかけて私たちフロントエンドエンジニアが全体的に考え方を改める必要が出るほど大きな変化がありました。 その変
東芝は、SSD(Solid State Drive)内に組み込まれるフラッシュメモリとコントローラICの間に挿入するブリッジチップを開発した。SSDにおいて高速化と大容量化の両立を可能にする技術である。 ブリッジチップとコントローラICをリング型デイジーチェーンで接続 東芝は2019年2月、SSD(Solid State Drive)内に組み込まれるフラッシュメモリとコントローラICの間に挿入するブリッジチップを開発したと発表した。少ない高速信号線で、より多くのフラッシュメモリを接続することができ、SSDにおいて高速化と大容量化の両立が可能となる。 SSDには、データの読み書きやエラー訂正などを行うコントローラICと、多くのフラッシュメモリが実装され、これらは高速のインタフェースで接続されている。SSDの動作速度を維持しようとすれば、1本のインタフェースに接続するフラッシュメモリ数が制限さ
Samsung Electronicsは、MRAMベースのインメモリコンピューティングに関する論文が「Nature」に掲載されたことを発表した。 論文タイトルは「A crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing(インメモリコンピューティング用の磁気抵抗メモリデバイスのクロスバーアレイ)」で、次世代の人工知能(AI)チップ用にメモリとシステムLSIを統合する取り組みが紹介されている。 この研究は、Samsungの中央研究所にあたるSamsung Advanced Institute of Technology(SAIT)が、Samsung Electronicsのファウンドリ事業部門Samsung FoundryおよびSamsung半導体部門の研究所であるSemiconductor R&D
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