アモルファスシリコン(英: amorphous silicon)は、ケイ素を主体とする非晶質半導体である。結晶シリコンと比較してエネルギーギャップが大きく、吸光係数が高い、製膜が容易などの特徴を持ち、薄膜トランジスタや太陽電池などに応用される。 歴史[編集] アモルファスシリコンは、1975年にスピア (W. E. Spear) らがシランの熱分解によって得たのが最初である。 性質[編集] 本来ダイヤモンド構造を有する結晶シリコンの構造がランダムになり、シリコン原子同士が無秩序に結合したものである。熱力学的に結晶シリコンに比べて不安定な物質であるが、未結合手(ダングリングボンド)に水素を結合させる(水素化する)ことで安定な固体となり、実用に供される。水素化したアモルファスシリコンは水素化アモルファスシリコンとも呼ばれ、しばしば a-Si:H のように表記される。 アモルファスシリコンは製法